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介電常數和介質損耗測定儀
參考價 | 面議 |
- 型號 GDAT-A
- 品牌
- 廠商性質 生產商
- 所在地 北京市
更新時間:2024-08-13 18:08:34瀏覽次數:1386
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2.高頻電容率和介質損耗因數測試系統構成
2.1.概述:高頻電容率和介質損耗因數測試系統由S916測試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數據采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電
介電常數測試儀由高頻阻抗分析儀、測試裝置,標準介質樣品組成,能對絕緣材料進行 高低頻介電常數(ε)和介質損耗角(D或tanδ) 的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及 IEC60250規范要求。 介電常數測試儀工作頻率范圍是20Hz~60MHz,它能完成工作頻率內對絕緣材料的相對介 電常數(ε)和介質損耗角 (D或tanδ)變化的測試。 系列中測試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測樣品,配用高頻阻抗分析 儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數和損耗值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗 值)變化和Cp(電容值)讀數通過公式計算得到。 1 特點: |
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示,保證了ε和D值精度和重復性。
◎ 介電常數測量范圍可達1~105
2 主要技術指標:
2.1 ε和D性能:
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率20Hz~1MHz的ε和D變化的測試。
2.1.2 ε和D測量范圍:ε:1~105,D:0.1~0.00005,
2.1.3 ε和D測量精度(10kHz):ε:±2% , D:±5%±0.0001。
2.2高頻阻抗分析儀和數字電橋
項目 | 參數 |
工作頻率范圍 | 20Hz~60MHz 數字合成,精度:±0.02% |
電容測量范圍 | 0.00001pF~9.99999F 六位數顯 |
電容測量基本誤差 | ±0.05% |
損耗因素D值范圍 | 0.00001~9.99999 六位數顯 |
儀器滿足標準GB/T 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法。適用于測定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質損耗因數。
2.高頻電容率和介質損耗因數測試系統構成
2.1.概述:高頻電容率和介質損耗因數測試系統由S916測試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數據采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成,它依據國標GB/T 1409-2006、美標ASTM D150以及電工委員會IEC60250的規定設計制作。
2.2.《BH916介質損耗裝置》(測試夾具)是測試系統的核心檢測部件,它由一個LCD數字顯示的微測量裝置和一對經精密加工的、間距可調的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化的量化,測得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數。BH916介質損耗測試裝置是本公司研制的更新換代產品,精密的加工設計、精確的LCD數字讀出、一鍵式清零功能,克服了機械刻度讀數誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測量誤差。
2.3.基于串聯諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統的二次儀表,其數碼化主調電容器的創新設計代表了行業的zui高成就,隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機界面,采用LCD液晶屏顯示各測量因子:Q值、電感L、主調電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz,頻率精度高達1×10-6。國標GB/T 1409-2006規定了用Q表法來測定電工材料高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε),把被測材料作為平板電容的介質,與輔助電感等構成串聯諧振因子引入Q表的測試回路,以獲取zui高的測試靈敏度。因而Q表法的測試結果更真實地反映了介質在高頻工作狀態下的特征。
GDAT高頻Q表的全數字化界面和微機控制使讀數清晰穩定、操作簡便。操作者能在任意點頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ,無須關注量程和換算,*摒棄了傳統Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無疑是電工材料高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)測量的理想工具。
2.4.數據采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT),實現了數據采集、數據分析和計算的微處理化,tanδ 測量結果的獲得無須繁瑣的人工處理,可提高數據的精確度和測量的同一性。
2.5.在系統中高品質因數(Q)的電感器與平板電容(BH916)構成了基于串聯諧振的測試回路。本技術協議的系統電感器為LKI-1電感組共由9個高性能電感器組成,以適配不同的檢測頻率。
2.6.介質損耗測試系統主要性能參數
BH916測試裝置: GDAT高頻Q表:
平板電容極片 Φ50mm 可選頻率范圍20KHz-60MHz
間距可調范圍≥15mm 頻率指示誤差3×10-5±1個字
夾具插頭間距25mm±0.01mm 主電容調節范圍30-500
測微桿分辨率0.001mm 主調電容誤差<1%或1pF
夾具損耗角正切值≦4×10-4 (1MHz) Q測試范圍2~1023
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