| 薄膜方塊電阻測試儀 型號：NXTR-1A/1B | 貨號：ZH8860 |
| 產品簡介: 薄膜方塊電阻測試儀主來測量硅外延層、擴散層和離子注入層、導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。它由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試架、四探針頭及測量軟件組成 使用范圍 適用于西門子法、硅烷法等生產多晶硅料的企業(yè) 適用于物理提生產多晶硅料生產企業(yè) 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業(yè) 適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業(yè) 產品特點 可測方塊電阻：適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅 適用于西門子法、硅烷法等生產多晶硅料的企業(yè) 適用于物理提生產多晶硅料生產企業(yè) 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業(yè) 適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業(yè) 測試量程大，電阻率測試儀 主機配置了“小游移四探針頭”了一起數據的準確性 儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度提高 測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能 特的設計能消除測量引線和接觸電阻產生的誤差， 測量的高精度和寬的量程范圍 雙數字表結構使測量，操作簡便 具有的測試數據查詢及打印功能 測量系統可實現自動換向測量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分變化率等 四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性提高 采用進口元器件，留有大的系數，提高了測試儀的性和使用壽命 測量電流采用高度穩(wěn)定的恒流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響 具有正測反測的功能，測試結果的準確性 具有抗強磁場和抗高頻設備的性能 測量范圍 10-5 ------1.9*105 Ω?cm 10-4------1.9*104 Ω?cm 可測硅棒尺寸： zui大長度300mm；直徑20mm（按用戶要求改） 輸出電流：DC0.001-100mA 五檔連續(xù)可調 測量范圍：0-199.99mV 靈 敏 度： 10μA 輸入阻抗：1000ΩM 電阻測量誤差：檔均低于±0.05% 供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz. 推薦使用環(huán)境：溫度：23±2℃ 相對溫度：≤65% |  |
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