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費(fèi)斯托壓力傳感器在系統(tǒng)安裝時(shí)需要注意什么情況
費(fèi)斯托壓力傳感器在采用周邊固定的圓形應(yīng)力杯硅薄膜內(nèi)壁，采用MEMS技術(shù)直接將四個(gè)高精密半導(dǎo)體應(yīng)變片刻制在其表面應(yīng)力zui大處，組成惠斯頓測(cè)量電橋，作為力電變換測(cè)量電路，將壓力這個(gè)物理量直接變換成電量，其測(cè)量精度能達(dá)0.01-0.03%FS。
電容式壓力傳感器利用MEMS技術(shù)在硅片上制造出橫隔柵狀，上下二根橫隔柵成為一組電容式壓力傳感器，上橫隔柵受壓力作用向下位移，改變了上下二根橫隔柵的間距，也就改變了板間電容量的大小，即△壓力=△電容量。
壓力傳感器有硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器，兩者都是在硅片上生成的微機(jī)械電子傳感器。
硅壓阻式壓力傳感器是采用高精密半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測(cè)量電路的，具有較高的測(cè)量精度、較低的功耗和極低的成本。惠斯頓電橋的壓阻式傳感器，如無(wú)壓力變化，其輸出為零，幾乎不耗電。其電原理如圖1所示。硅壓阻式壓力傳感器其應(yīng)變片電橋的光刻版本如圖2。
技術(shù)指標(biāo)
額定載荷 10～1000kg
綜合精度 0.02（線性+滯后+重復(fù)性）
靈敏度 2.0 mV/V
蠕變 ±0.02 ％F·S/30min
零點(diǎn)輸出 ±1 ％F·S
零點(diǎn)溫度影響 ±0.02 ％F·S/10℃
輸出溫度影響 ±0.02 ％F·S/10℃
工作溫度 -20℃～+65℃
費(fèi)斯托壓力傳感器在系統(tǒng)安裝時(shí)需要注意什么情況
輸入阻抗 380±10 Ω
輸出阻抗 350±3 Ω
絕緣電阻 >5000 MΩ
安全過(guò)載 150％ F·S
響應(yīng)時(shí)間： 5 mS（上升到90%FS）
供電電壓: 24DCV（9～36DCV）
介質(zhì)溫度: -20～85～150℃
環(huán)境溫度: 常溫（-20～85℃）
負(fù)載電阻: 電流輸出型：zui大800Ω；電壓輸出型：大于50KΩ
絕緣電阻: 大于2000MΩ （100VDC
密封等級(jí): IP65
長(zhǎng)期穩(wěn)定性能: 0.1%FS/年
振動(dòng)影響: 在機(jī)械振動(dòng)頻率20Hz～1000Hz內(nèi)，輸出變化小于0.1%FS
電氣接口（信號(hào)接口）: 四芯屏蔽線、四芯航空接插件、緊線螺母
供橋電壓 建議10VDC
材質(zhì) 合金鋼或不銹鋼
接線方式 輸入（+）：紅線 輸入（-）：黑線
輸出（+）：綠線 輸出（-）：白線
費(fèi)斯托壓力傳感器在系統(tǒng)安裝時(shí)需要注意什么情況