片層堆疊花球結構二硒化鉬
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片層堆疊花球結構二硒化鉬
被合成的MoSe2多為二維片層結構,其他如管狀.棒狀等納米結構多以模板法合成。在MoSe2片層結構的基礎上,在非模板法的前提下通過簡單的一步溶劑熱合成了納米片層堆疊的三維的一種花球結構,三維結構的構建提高了材料的穩定性,并且合成的花球為內部中空結構,中空結構又提供了更多的活性位點,同時有利于電解液的滲透和迅速的離子交換,提高了MoSe2材料的電化學性能。
片層堆疊的花球結構的二硒化鉬超級電容器電極材料制備方法;(1)室溫下,量取過氧化氫加入到鉬粉中,鉬粉溶解;(2)量取水合冊加入到硒粉中,硒粉溶解;(3)量取N,N-二甲基甲酰胺加入到步驟(1)的溶液中;(4)將步驟(3)得到的均勻溶液轉移至反應釜中繼續攪拌,在攪拌條件下,將步驟(⑵)得到的溶液加入到以上反應釜中,混合磁力攪拌:(5)將反應釜置于烘箱中160~200℃反應,然后冷卻至室溫得到反應產物;產物抽濾、洗滌、干燥得到片層堆疊的花球結構的MoSez用常片法制作成電極。電極比容量在1A/g條件下有286.6F/g,在2A/g條件下有268.8F/g。
二硒化釩摻雜鈷化物
二硒化鉬修飾二維氮化碳
二硒化鉬負載噻吩
二硒化鎢負載喜樹堿
聚多巴胺修飾二硒化鉬
PEG-MoSe2聚乙二醇修飾二硒化鉬
溫馨提示:西安瑞禧生物供應產品用于科研,不能用于人體(wff+2022.7)