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CdTe/CdSe碲化鎘/硒化鎘Ⅱ型核殼量子點
水相的CdTe量子點通過分批次加入鮮配制的NaHSe和CdCl2溶液，可制備出CdSe包覆層數(shù)不同的CdTe/CdSe核殼量子點。觀察CdSe包覆層數(shù)對CdTe/CdSe核殼量子點的光學(xué)特性以及微觀結(jié)構(gòu)的影響，與CdTe量子點相比，CdSe單層包覆的CdTe/CdSe核殼量子點的吸收峰和熒光發(fā)射峰出現(xiàn)紅移。隨著CdSe包覆層數(shù)的增多，CdTe/CdSe核殼量子點吸收光譜的覆蓋范圍向長波方向擴展，熒光發(fā)射峰度逐步下降，熒光大幅延長。體現(xiàn)出Ⅱ型核殼量子點的特征。
CdTe/CdSe碲化鎘/硒化鎘Ⅱ型核殼量子點
中文名稱：碲化鎘/硒化鎘Ⅱ型核殼量子點
英文名稱：CdTe/CdSe type ⅱ core-shell quantum dots
其它名稱：CdTe/CdSe type ⅱ core-shell QDs
熒光發(fā)射光譜：586~753nm(連續(xù)可調(diào))
熒光量子產(chǎn)率：68%
存儲條件：-20℃
存儲時間：1年
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溫馨提示：用于科研，不能用于人體和其他商業(yè)用途。(HX-2021.10)
