目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>掃描電子顯微鏡>>卡爾蔡司電子顯微鏡>> Crossbeam掃描電子顯微鏡SEM
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更新時(shí)間：2024-07-10 07:04:21瀏覽次數(shù)：1230評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工 |
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蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結(jié)合了場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能，和新一代聚焦離子束(FIB)優(yōu)異的加工性能。無論是在科研或是工業(yè)實(shí)驗(yàn)室，您都可以在一臺(tái)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)多用戶同時(shí)操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺(tái)設(shè)計(jì)理念，您可以根據(jù)自己需求的變化隨時(shí)升級(jí)儀器系統(tǒng)。在加工、成像或是實(shí)現(xiàn)三維重構(gòu)分析時(shí)，Crosssbeam系列都將大大提升您的應(yīng)用體驗(yàn)。
使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實(shí)樣本信息
使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式，您可以大限度地提高樣品質(zhì)量、降低樣品損傷，同時(shí)大大加快實(shí)驗(yàn)操作過程
使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能，您可以制備超薄的TEM樣品，同時(shí)將非晶化損傷降到非常低
使用Crossbeam 340的可變氣壓功能
或使用Crossbeam 550實(shí)現(xiàn)更苛刻的表征，大倉(cāng)室甚至為您提供更多選擇
EM樣品制備流程
按照以下步驟，高效率、高質(zhì)量地完成制樣
Crossbeam 為制備超薄、高質(zhì)量的TEM樣品提供了一整套解決方案，您可以高效地準(zhǔn)備樣品，并在TEM或STEM上實(shí)現(xiàn)透射成像模式的分析。
1.自動(dòng)定位——感興趣的區(qū)域(ROI)輕松導(dǎo)航
您可以不費(fèi)功夫地找到感興趣的區(qū)域(ROI)
使用樣品交換室的導(dǎo)航相機(jī)對(duì)樣品進(jìn)行定位
集成的用戶界面使得您可以輕松定位到ROI
在SEM上獲得寬視野、無畸變的圖像
2. 自動(dòng)制樣——從體材料開始制備薄片樣品
您可以通過簡(jiǎn)單的三個(gè)步驟制備樣品：ASP(自動(dòng)樣品制備)
定義參數(shù)包括漂移修正，表面沉積以及粗切、精細(xì)切割
FIB鏡筒的離子光學(xué)系統(tǒng)保證了工作流程具有的通量
將參數(shù)導(dǎo)出為副本，進(jìn)而可以重復(fù)操作實(shí)現(xiàn)批量制備
3. 輕松轉(zhuǎn)移——樣品切割、轉(zhuǎn)移機(jī)械化
導(dǎo)入機(jī)械手，將薄片樣品焊接在機(jī)械手的針尖上
將薄片樣品與樣品基體連接部分進(jìn)行切割，使其分離
薄片隨后會(huì)被提取并轉(zhuǎn)移到TEM柵網(wǎng)上
4. 樣品減薄——獲取高質(zhì)量TEM樣品至關(guān)重要的一步
儀器在設(shè)計(jì)上允許用戶實(shí)時(shí)監(jiān)控樣品厚度，并最終達(dá)到所需求的目標(biāo)厚度
您可以同時(shí)通過收集兩個(gè)探測(cè)器的信號(hào)判斷薄片厚度，一方面可以通過SE探測(cè)器以高重復(fù)性獲取最終厚度，另一方面可以通過Inlens SE 探測(cè)器控制表面質(zhì)量
制備高質(zhì)量的樣品，并將非晶化損傷降到可以忽略的地步
| 蔡司 Crossbeam 340 | 蔡司 Crossbeam 550 | |
|---|---|---|
| 掃描電子束系統(tǒng) | Gemini I VP 鏡筒 - | Gemini II鏡筒 可選Tandem decel |
| 樣品倉(cāng)尺寸和接口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)有18個(gè)擴(kuò)展接口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)有18個(gè)擴(kuò)展接口或者加大樣品倉(cāng)有22個(gè)擴(kuò)展接口 |
| 樣品臺(tái) | X/Y方向行程均為100mm | X/Y方向行程：標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)100mm加大樣品倉(cāng)153 mm |
| 荷電控制 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器 可變氣壓 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器
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| 可選選項(xiàng) | Inlens Duo探測(cè)器可依次獲取SE/EsB圖像 VPSE探測(cè)器 | Inlens SE 和 Inlens EsB可同時(shí)獲取SE和ESB成像 大尺寸預(yù)真空室可傳輸8英寸晶元 注意加大樣品倉(cāng)可同時(shí)安裝3支壓縮空氣驅(qū)動(dòng)的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測(cè)器和局域電荷中和器 |
| 特點(diǎn) | 由于采用了可變氣壓模式，從而具有更大范圍的樣品兼容性，適用于各類原位實(shí)驗(yàn)，可依次獲取SE/EsB圖像 | 高效的分析和成像，在各種條件下保持高分辨特性，同時(shí)獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像 |
| *SE 二次電子，EsB 能量選擇背散射電子 |
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