HL-G105-A-C5松下激光位移傳感器，高精度位移傳感器，松下SUNX激光位移傳感器

HL-G103-A-C5;HL-G105-A-C5;HL-G108-A-C5;HL-G112-A-C5；SUNX激光位移傳感器

傳感器規(guī)格

型號(hào)		HL-G103-A-C5	HL-G105-A-C5	HL-G108-A-C5	HL-G112-A-C5
測(cè)量中心距離		30mm	50mm	85mm	120mm
測(cè)量范圍		±4mm	±10mm	±20mm	±60mm
分辨率		0.5μm	1.5μm	2.5μm	8μm
直線性		±0.1% F.S.
溫度特性		±0.08% F.S./℃
光源		紅色半導(dǎo)體激光（投光峰波長(zhǎng)度655nm）
	輸出	zui大輸出：1mW
	激光等級(jí)	2級(jí)（JIS/IEC），Ⅱ級(jí)（FDA Laser Notice No.50）
光束直徑（注2）		0.1×0.1mm	0.5×1mm	0.75×1.25mm	1.0×1.5mm
受光元件		CMOS圖像傳感器
電源電壓		24V DC±10%　含脈動(dòng)0.5V（P-P）
消耗電流		100mA以下
取樣周期		200μs、500μs、1ms、2ms
模擬輸出	電壓	輸出范圍：0~10.5V（正常時(shí)）、11V（報(bào)警時(shí)）　輸出阻抗：100Ω
	電流	輸出范圍：3.2~20.8mA（正常時(shí)）、21.6mA（報(bào)警時(shí)）　負(fù)載阻抗：300Ω以下
輸出（OUT1 OUT2 OUT3）		判斷輸出或者警報(bào)輸出（設(shè)定切換式） NNPN晶體管·開(kāi)路集電極/PNP晶體管·開(kāi)路集電極（切換式）＜選擇NPN輸出時(shí)＞ ?zui大流入電流：50mA ?外加電壓：3~24V DC（輸出-0V間） ?剩余電壓：2V以下（流入電流50mA時(shí)）＜選擇PNP輸出時(shí)＞ ?zui大流出電流：50mA ?剩余電壓：2.8V以下（流出電流50mA時(shí)）
	輸出動(dòng)作	ON時(shí)（輸出動(dòng)作時(shí)）打開(kāi)
	短路保護(hù)	配備（自動(dòng)復(fù)位式）
NP切換輸入		連接0V時(shí)：NPN輸出動(dòng)作連接電源用24V DC時(shí)：PNP輸出動(dòng)作
時(shí)間輸入		選擇NPN輸出動(dòng)作時(shí)：連接到0V時(shí)動(dòng)作，或者在連接過(guò)程中動(dòng)作（因設(shè)定而異）選擇PNP輸出動(dòng)作時(shí)：連接外部電源+時(shí)動(dòng)作，或者在連接過(guò)程中動(dòng)作（因設(shè)定而異）
多重輸入		根據(jù)輸入時(shí)間執(zhí)行零設(shè)置、零設(shè)置關(guān)閉、復(fù)位、教導(dǎo)、激光控制選擇NPN輸出時(shí)：根據(jù)連接到0V的時(shí)間選擇PNP輸出時(shí)：根據(jù)連接到外部電源+的時(shí)間
指示燈	激光投光指示燈	綠色發(fā)光二極管激光投光時(shí)亮起
	警報(bào)指示燈	橙色發(fā)光二極管因光量不足導(dǎo)致無(wú)法檢測(cè)時(shí)亮燈
	輸出指示燈	黃色發(fā)光二極管×3
數(shù)字顯示部		紅色發(fā)光二極管　5 ¹/₂位顯示
耐環(huán)境性	保護(hù)構(gòu)造	IP67
	使用環(huán)境溫度	－10~45℃（應(yīng)無(wú)結(jié)冰）　存儲(chǔ)時(shí)：－20~60℃（應(yīng)無(wú)結(jié)冰）
	使用環(huán)境濕度	35~85%RH（應(yīng)無(wú)凝露）　存儲(chǔ)時(shí)：35~85%（應(yīng)無(wú)凝露）
	使用環(huán)境照明度	白熾燈：受光面照明度3,000lx以下　（注3）
	使用高度	2,000m以下
	污染度	2
	絕緣電阻	所有電源連接端子與外殼之間，20MΩ以上，基于DC250V的高阻表
	耐電壓	AC1,000V 1分鐘，所有電源連接端子與外殼之間
	耐振動(dòng)	耐久頻率：10~55Hz（周期：1分鐘）　雙振幅1.5mm　 X, Y, Z方向各2小時(shí)
	耐沖擊	500m/s²（約50G）　方向各3次
電纜		0.1mm²　帶10芯橡膠絕緣電纜5m
材質(zhì)		本體外殼：PBT、全面蓋板：丙烯基、電纜：PVC
重量		本體重量：約70g（不含電纜）、約320g（含線纜）、包裝重量：約380g
附件		激光警告標(biāo)簽：1套

（注1）：當(dāng)未明確測(cè)量條件時(shí)，使用條件如下。電源電壓：24VDC，周?chē)鷾囟龋?0℃，取樣周期：500μs，平均次數(shù)：1,024次，測(cè)量中心距離，由白陶瓷制成的被測(cè)物體，模擬輸出。
（注2）：測(cè)量中心距離處的數(shù)值。以中心光強(qiáng)度的1/e2（約13.5％）定義這些值。如果定義范圍外有光泄漏，并且檢測(cè)點(diǎn)外圍的反射率高于檢測(cè)點(diǎn)本身，則結(jié)果可能會(huì)受到影響。
（注3）：受周?chē)褂谜斩扔绊懙牟▌?dòng)量為±0.1%F.S.以下。