VCU創傷性顱腦損傷儀

創傷性腦損傷（traumatic brain injury，TBI）是神經外科Z常見的疾病，是導致創傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經生化、神經病理生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創傷特點的創傷性腦損傷模型，是目前創傷性

細胞損傷控制儀（CIC）

細胞損傷控制儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制，適合腦源性細胞培養樣品，或其它離體培養細胞的牽張性（strain-induced trauma）損傷模型制作。損傷后可進行神經生化、形態學、生理學，藥物干預等方面的研究。細胞損傷控制儀使用Flexcell Int’l corp具有的組織培養系統。細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養室，以造成培養組織牽張性的損傷，損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養室的氣體量。培養室的峰值壓力同時被記錄下來，這個數值可以用來地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。細胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因為根據所采用的細胞種類、損傷的程度、培養的狀況，受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復，所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應用在下列損傷反應研究：細胞受損、修護，死亡，藥物介入。