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低噪聲的內(nèi)置場效應(yīng)管的半導(dǎo)體核輻射探測器

閱讀:6793      發(fā)布時(shí)間:2009-12-14
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發(fā)明涉及半導(dǎo)體核輻射探測器使用的光電二極管和*級(jí)前置放大器的場效應(yīng)管。現(xiàn)有的核輻射探測器使用的光電二極管和場效應(yīng)管為兩個(gè)部件,固定在同一基板上,彼此連接采用金絲點(diǎn)焊。由于金絲有大約10mm長,其分布電容大約在0.2pf左右。
    本發(fā)明將光電二極管和場效應(yīng)管光刻在同一片硅片上,這樣場效應(yīng)管柵極和光電二極管之間幾乎是直接相連,大大降低分布電容,其分布電容大約在0.01~0.02pf。因此該系統(tǒng)因分布電容產(chǎn)生的噪聲遠(yuǎn)小于現(xiàn)有的核輻射探測器。

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