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MIRA3掃描電鏡配備有高亮度肖特基電子槍，以獲得高分辨及低噪聲成像。MIRA3 為用戶提供優秀的掃描電鏡使用體驗，擁有更快的圖像采集速度，超快速的靜態和動態圖像畸變補償掃描系統以及用戶自定義內置應用程序腳本等。

MIRA3掃描電鏡MIRA3 高束流下優異的分辨率非常有利于 EDS、WDS 及 EBSD 成分分析。借助優化的電子束減速技術 ( BDT ) 使得低著陸電壓下的成像能力進一步增強。MIRA3 有 LM、XM 和 GM三種優化幾何設計的樣品室尺寸可供選擇，同時可選擇高/低真空操作環境。

突出特點

• 配置高亮度肖特基電子槍，實現高分辨率，大束流及低噪聲成像；
• 中間透鏡（IML）技術和 Wide Field Optics™光路相配合，可提供多種工作和顯示模式，如大視野模式和景深模式；
• 實時電子束追蹤技術(In-Flight Beam Tracing™)可實現性能及電子束的實時優化，同時可直接控制電子束及束流的連續調節。電子束減速技術 ( BDT ) 在低電壓下具有優異分辨率；
• 通過強大的 In-Beam 探測器可實現短工作距離下的優異成像（選配）；
• 所有的 MIRA3 倉室均配備優異的 5 軸全自動優中心樣品臺(compucentric stage)同時擁有 EDS 和 EBSD 分析所需的理想幾何結構設計；

• 可選配帶有強大樣品臺的超大樣品室（XM、GM），可檢測大樣品 (如6", 8", 12")晶圓；
• 優化幾何設計的眾多接口，可用于接入 EDS、WDS、EBSD 以及其他探測器；
• 可變真空模式適用于非導電樣品研究；
• 多樣可選擇的減震方式可有效降低實驗室環境振動的影響；
• 無畸變 EBSD 花樣。