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臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD
產(chǎn)品簡介：
臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD是為制備高質(zhì)量的石墨烯與碳納米管而開發(fā)的高性能臺式CVD系統(tǒng)。在與諾獎科研團隊的長期合作中獲得的豐富經(jīng)驗使該系列產(chǎn)品具有非常高的性能。別是針對石墨烯、碳納米管等不同的應用進行了針對性的化。該系列產(chǎn)品操作簡便，生長條件控制準確，生長迅速、制備出的樣品具有高質(zhì)量、高可重復性，這些點使得該系列產(chǎn)品受到多個石墨烯研究團隊的贊譽。該系列產(chǎn)品適合于想要制備高質(zhì)量石墨烯或碳納米管用于前沿學術研究的團隊。例如，埃克塞大學、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業(yè)大學這些的高校均是nanoCVD系列的用戶。
nanoCVD采用全新的設計理念，可以快速、高質(zhì)量地生產(chǎn)石墨烯或碳納米管。與傳統(tǒng)的簡易CVD(管式爐)相比，該系統(tǒng)基于冷壁設計方案，具有以下主要點:
◎ 系統(tǒng)可以快速的升溫和降溫。
◎ 更加準確的條件控制和可靠的工藝重現(xiàn)性。
◎ 安全性設計，具有尾氣稀釋模塊。
◎ 智能化設計，全自動引導式觸屏操作系統(tǒng)。
◎ 支持自動程序的設定與儲存。
◎ 雄厚的技術積累，業(yè)的技術支持。
設備型號：
臺式超高質(zhì)量石墨烯快速制備CVD系統(tǒng)- nanoCVD 8G
nanoCVD-8G系統(tǒng)是性能穩(wěn)定的快速的石墨烯生長系統(tǒng)。nanoCVD-8G具有壓強自動控制系統(tǒng)，可以準確的控制石墨烯生長過程中的氣氛條件。系統(tǒng)采用低熱容的樣品臺可在2分鐘內(nèi)升溫至1000℃并準確控溫。該裝置采用了冷壁技術，樣品生長完畢后可以快速降溫。正是因為這些條件可以讓用戶在30分鐘內(nèi)即可獲得高質(zhì)量的石墨烯。用戶通過HMI觸屏進行操作，所有的硬件都是自動化的。更有內(nèi)置的標準石墨烯生長示例程序供用戶參考。該系統(tǒng)安裝迅速，非常適合需要持續(xù)快速獲取高質(zhì)量石墨烯用于高質(zhì)量學術研究的團隊。埃克塞大學、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業(yè)大學等很多著名的高校都是該系統(tǒng)的用戶。
主要點：
◎ 合成高質(zhì)量、可重復的石墨烯 ◎ 生長條件準確控制 ◎ 高達溫度：1100 °C ◎ 生長時間：<30 min ◎ 基片尺寸大：20 × 40 mm2 ◎ 全自動過程控制 ◎ MFC流量計控制過程氣體 (Ar、H2與CH4) ◎ 用戶友好型觸屏控制 ◎ 可設定、存儲多個生長程序 ◎ 可連接電腦記錄數(shù)據(jù) ◎ 易于維護 ◎ 全面安全性設計，尾氣稀釋模塊 ◎ 兼容超凈間 ◎ 系統(tǒng)性能穩(wěn)定
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部分數(shù)據(jù)展示：
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小型等離子增強大尺寸石墨烯制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD WPG
nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質(zhì)量石墨烯生長的功能與等離子體增強技術相結合，系統(tǒng)可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，用該系統(tǒng)準確的生長控制條件可以制備多種高質(zhì)量的2D材料，該系統(tǒng)是小型CVD系統(tǒng)性能上的個重大飛躍。全新的設計方案和控制系統(tǒng)使該系統(tǒng)成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。
應用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲能材料。
主要點：
生長條件： ◎ 襯底：Cu、Ni等薄膜或薄片 ◎ 工作原料：CH4，C2H4， PMMA等 ◎ 保護氣體：H2，Ar，N2等
典型配置指標： ◎ 腔體：腔壁水冷技術，熱屏蔽不銹鋼腔體 ◎ 真空系統(tǒng)：分子泵系統(tǒng)，5×10-7 mbar本底真空。 ◎ 樣品臺：大4英寸直徑，高達1100°C ◎ 操作控制：觸摸屏/電腦接口；可手動控制或自動控制 ◎ 氣體控制：MFC 流量計，Ar，CH4，H2為標配種類。 ◎ 過程控制：自動控制 ◎ 等離子源：150 W/13.56 MHz RF 電源，樣品臺附近或需要的位置產(chǎn)生等離子體。 ◎ 安全性：冷卻與真空鎖系統(tǒng)，氣體稀釋模塊。 |
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臺式超準碳納米管快速制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD 8N
nanoCVD-8N與石墨烯生長系統(tǒng)nanoCVD-8G有諸多共同之處，并針對碳納米管生長條件進行了化。這些條件對于碳納米管(CNT)樣品的質(zhì)量和可重復性(主要是單壁形式)是至關重要的。創(chuàng)新的冷壁式腔體與傳統(tǒng)管式設備相比更易準確控制實驗條件和快速升降溫。nanoCVD-8N具有智能的控制系統(tǒng)和完備的安全性設計。設備易于安裝，易于使用，是快速進入高質(zhì)量研究的理想選擇。該系統(tǒng)獲得沃里克大學用戶的高度贊譽。
碳納米管可采用Fe、Co、Ni的納米顆粒作為催化劑生長在SiO2/Si, Si3N4以及石英等襯底上。
通過襯底與催化劑的選擇，可以生長的碳納米管有：
• 隨機: 隨機方向的相互交疊的單壁碳納米管
• 有序: 平行的單壁碳納米管
• 豎直: 豎直的單壁碳納米管束
主要點：
◎ 合成的碳納米管具有很高的可重復性； ◎ 門為單壁碳納米管進行了化； ◎ 生長條件準確控制； ◎ 高達溫度：1100 °C； ◎ MFC流量計控制過程氣體 (Ar、H2與CH4)； ◎ 基片尺寸：大20 × 40 mm2； ◎ 生長時間：<30 min； ◎ 全自動生長條件準確控制； ◎ 用戶友好型觸屏； ◎ 可設定、存儲多個生長程序 ◎ 可連接電腦記錄數(shù)據(jù)； ◎ 易于維護； ◎ 全面安全性設計，尾氣稀釋模塊； ◎ 兼容超凈間； ◎ 系統(tǒng)性能穩(wěn)定； |
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部分數(shù)據(jù)展示：
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發(fā)表文章
Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261
本文作者研究了通常用于將CVD石墨烯放置到應用襯底上的濕轉移工藝會導致材料的微量污染。這些純度會對石墨烯的其他殊性產(chǎn)生不影響，并對電子和光電應用產(chǎn)生影響。
相關設備: nanoCVD-8G
Transparent conductive graphene textile fibers
Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866
使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被轉移到纖維上，*生產(chǎn)出柔韌的、*嵌入的紡織電。石墨烯的高質(zhì)量意味著電有超低的表面電阻和高的機械穩(wěn)定性。
相關設備: nanoCVD-8G
High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition
Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600
展示了冷壁法CVD合成石墨烯的勢，并報道了使用nanoCVD – 8G制備的高質(zhì)量石墨烯材料具有超高的載流子遷移率，表現(xiàn)出半整數(shù)量子霍爾效應，這與剝離制備的樣品相當。
相關設備: nanoCVD-8G
Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes
Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e
用nanoCVD – 8N技術制備了單壁碳納米管，并用電化學技術對其進行了研究。高分辨率的測量可以檢查單個單壁碳納米管的性。這發(fā)現(xiàn)對未來使用SWNT電的器件設計具有重要意義。
相關設備: nanoCVD-8N
Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes
Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y
電化學技術，結合使用nanoCVD - 8N技術產(chǎn)生的單壁碳納米管，被用來證明即使在沒有摻雜、修飾或缺陷的情況下，碳納米管也表現(xiàn)出顯著的活性。
相關設備: nanoCVD-8N
用戶單位
埃克塞大學 |
哈德斯菲爾德大學 |
萊頓大學
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亞琛工業(yè)大學 |
