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薄膜方塊電阻測試儀適用于物理提生產多晶硅料生產企業

2018-3-19  閱讀(429)

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薄膜方塊電阻測試儀 型號:NXTR-1A/1B 貨號:ZH8860 
產品簡介:
薄膜方塊電阻測試儀主來測量硅外延層、擴散層和離子注入層、導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻。它由電氣測量部份(簡稱:主機)、測試架、四探針頭及測量軟件組成 
使用范圍
適用于西門子法、硅烷法等工藝生產多晶硅料的企業
適用于物理提生產多晶硅料生產企業
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業
產品特點
可測方塊電阻:適合檢測硅芯,檢磷棒,檢硼棒,籽晶等圓柱晶體硅
適用于西門子法、硅烷法等工藝生產多晶硅料的企業
適用于物理提生產多晶硅料生產企業
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業
測試量程大,電阻率測試儀
主機配置了“小游移四探針頭”了一起數據的準確性 
儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響,因此測試精度提高
測量精度高,除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
特的設計能消除測量引線和接觸電阻產生的誤差,   測量的高精度和寬的量程范圍
雙數字表結構使測量,操作簡便
具有的測試數據查詢及打印功能
測量系統可實現自動換向測量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分變化率等
四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構,使探針的游移率減小,測量重復性提高
采用進口元器件,留有大的系數,提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度穩定的恒流源(萬分之五精度),不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能,測試結果的準確性
具有抗強磁場和抗高頻設備的性能
測量范圍
10-5 ------1.9*105  Ω?cm
10-4------1.9*104  Ω?cm
可測硅棒尺寸: zui大長度300mm;直徑20mm(按用戶要求改)
輸出電流:DC0.001-100mA  五檔連續可調   測量范圍:0-199.99mV 
靈 敏 度: 10μA
輸入阻抗:1000ΩM
電阻測量誤差:檔均低于±0.05%
供電電源:AC 220V ±10% 50/60Hz.
推薦使用環境:溫度:23±2℃   相對溫度:≤65%
 

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