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產(chǎn)品名稱：

碳化硅(SiC)晶體基片

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品規(guī)格：

摻雜類型：6H N型 <0001> 表示專門摻N的，摻雜濃度是10E18-10E19；4H N型；半絕緣；
常規(guī)尺寸：dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm， 10x10mm,10x5mm；

拋光情況：單拋或雙拋；

表面粗糙度：Ra<10A

常規(guī)晶向 ：<0001>現(xiàn)可供應(yīng)<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，單拋 一種低電阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一種是高電阻率（>10^5 ohm.cm)

標準包裝：

1000級超凈室100級超凈袋包裝或單片盒、插盒裝

薄膜基片

A-Z系列晶體列表

清洗機

基片包裝盒系列

劃片機

旋轉(zhuǎn)涂層機