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河南榮程聯(lián)合科技有限公司

測(cè)量電子顯微鏡碳厚度

時(shí)間:2023-10-18 閱讀:502
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碳繩的脈沖蒸發(fā)方式,簡(jiǎn)化了鍍膜過程

在電子顯微鏡樣品鍍膜時(shí),石英晶振片可控制鍍膜的厚度。這些晶振片以一定的頻率(新晶體時(shí)約為6兆赫)進(jìn)行振蕩。通過測(cè)量鍍膜前和鍍膜后的頻率、鍍膜材質(zhì)的比重和石英的幾何位置,可以計(jì)算出應(yīng)用厚度




軟件控制的脈沖蒸發(fā)

然而,這種測(cè)量碳膜厚度的方法也有一些弊端。碳蒸發(fā)產(chǎn)生的熱量和光線會(huì)影響晶振片振蕩的頻率。過一段時(shí)間,等數(shù)值穩(wěn)定后,才能得出合理的膜厚測(cè)量結(jié)果。圖1和圖2展示了蒸發(fā)過程隨著時(shí)間推移影響晶振片頻率的過程。Flash蒸發(fā)以全功率燃燒整段碳繩。脈沖蒸發(fā)是通過一個(gè)短的特定電壓發(fā)生的,以沉積少量的碳材料。Flash蒸發(fā)可以得到更厚的膜層,但其結(jié)果只受碳繩影響。在Flash過程中,樣品會(huì)產(chǎn)生大量熱量。使用脈沖蒸發(fā)時(shí),膜厚每個(gè)脈沖的功率、脈沖時(shí)間和脈沖數(shù)量影響。相比Flash蒸發(fā),脈沖蒸發(fā)產(chǎn)生的熱量更少。


軟件控制的碳繩脈沖蒸發(fā)是一種創(chuàng)新方法(由Leica Microsystems為L(zhǎng)eica EM ACE鍍膜機(jī)的新系列開發(fā)),它簡(jiǎn)化了以前復(fù)雜的過程。在每個(gè)特定的短脈沖之后,每一個(gè)脈沖后的膜厚都會(huì)得到測(cè)量。信息會(huì)反饋到過程控制中,然后再執(zhí)行一個(gè)脈沖,或成功完成鍍膜。這種方法滿足了高度精確的要求,創(chuàng)造出了1或2納米厚的薄層,無需經(jīng)驗(yàn)即可重現(xiàn)。

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圖1:閃光蒸發(fā)時(shí),晶振片隨時(shí)間變化。

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圖2:執(zhí)行特定的脈沖蒸發(fā)時(shí),石英信號(hào)隨時(shí)間變化。




無晶振片膜厚測(cè)量

如果想評(píng)估碳膜厚度,但沒有晶振片測(cè)量系統(tǒng),則可以采用一種簡(jiǎn)單的視覺測(cè)試方法。對(duì)于參考測(cè)試來說,這也是一種非常有用的方法。


碳蒸發(fā)在鍍金板或測(cè)試鋁箔上的碳,會(huì)受其厚度影響呈現(xiàn)出明顯的顏色差異(見下面的刻度)。蓋板或測(cè)試箔通過磁控濺射鍍膜約50納米的金,或者直到它看起來呈金色。圖片展示了涂有不同厚度的碳的金色蓋板。從左到右:無涂層黃金,然后從10納米碳膜層開始,逐級(jí)遞增5納米,直到40納米碳涂層。

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圖3:樣本由安特衛(wèi)普大學(xué)的Frédéric Leroux博士制作。

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圖3.通過比較顏色,對(duì)金板測(cè)試箔上的碳層厚度進(jìn)行視覺測(cè)試的原則




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圖4:樣本由安特衛(wèi)普大學(xué)的Frédéric Leroux博士制作。

如果沒有晶振片測(cè)量系統(tǒng),這種簡(jiǎn)單的測(cè)試方法也能起到效果,但它顯然沒有石英測(cè)量系統(tǒng)精確。涂層厚度是在涂層過程結(jié)束后進(jìn)行評(píng)估的。因此,它無法在涂層過程中給予反饋。很明顯,這是一個(gè)粗略評(píng)估的方法,精度為+/-幾個(gè)納米。它不能提供納米級(jí)別的沉積碳層精確信息,也不具備可重復(fù)性。綜合脈沖測(cè)量可將精度控制在+0.5納米的范圍內(nèi),同時(shí)確保再現(xiàn)性。



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