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這款晶圓少子壽命測量儀是專業為晶圓少數載流子復合壽命測量設計的少子壽命測試儀器。
晶圓少子壽命測量儀采用半標準準穩態光電導壽命測量方法QSSPC技術和瞬態光電導衰退技術測量在10ns~10ms范圍的少子壽命。其中準穩態光電導壽命測量方法QSSPC非常適合監測多晶硅晶圓,摻雜擴散和低壽命樣品。瞬態光電導衰退適合較高少子壽命的晶圓測量。準穩態光電導壽命測量方法QSSPC技術壽命測量也得出隱含開路電壓（對照度）曲線，與I-V曲線相當。
晶圓少子壽命測量儀特色

•單鍵識別硅片的關鍵特性，包括片材電阻，壽命，陷阱密度，發射極，飽和電流密度，電壓

•校準載流子壽命與注入水平產生,結果是普遍的認可的

晶圓少子壽命測量儀應用

主要用途：逐步監測晶圓 以及制造工藝的優化

其他應用：

•監控初始材料質量

•檢測過程中的重金屬污染

晶圓加工

•評估表面鈍化和發射極摻雜擴散

•使用隱含的I-V測量

晶圓少子壽命測量儀規格參數

可測值:壽命,電阻率,發射極飽和電流密度,陷阱密度,一個太陽Voc

壽命測量范圍:100 ns到大于10 ms

測量（分析）模式:準穩態光電導壽命QSSPC、瞬態壽命和廣義壽命分析

電阻率測量范圍：3–600）歐姆/平方英寸，（未摻雜）

可用光偏壓范圍：0–50個太陽

典型校準注射范圍：10^13~10^16  cm^-3

可用光譜:  白光和紅外照明

傳感器面積:  40mm直徑

樣本大小，標準配置:  標準直徑：40–210mm

晶圓厚度范圍: 10–2000μm（校準）,可測量其他厚度