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化工儀器網>產品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>薄膜生長設備>化學氣相沉積設備>SciCreate G-CVD 石墨烯Graphene CVD制備系統(tǒng)

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SciCreate G-CVD 石墨烯Graphene CVD制備系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!


  國內科研機構的科學儀器絕大部分依賴進口,科學研究"空芯化"現象嚴重。造成該困境的重要原因是國內科學儀器的研發(fā)力量不夠強大,科學研究者與儀器*的聯(lián)系與合作不夠緊密。北京科銳精儀科技有限公司由幾位畢業(yè)于*物理研究所和清華大學的年輕人創(chuàng)立,致力于研發(fā)各種高性能科學儀器,并搭建科學研究者與儀器*之間的橋梁。自公司成立以來,已經與國內諸多科學家合作,研發(fā)出*特色的科學儀器

納米位移器,石墨烯化學氣相沉積系統(tǒng)

  石墨烯(Graphene)自2004年發(fā)現以來,在短短數年間已經成為凝聚態(tài)物理、化學、生命科學、材料科學等領域研究中倍受矚目的“明星材料”。幾年內,在SCI雜志上,發(fā)表了上萬篇關于石墨烯的文章,這種研究熱度將維持很長時間。

  化學氣相沉積(CVD)是目前制備石墨烯的zui有效、也是研究價值的方法。但搭建一套完整而高效的石墨烯化學氣相沉積系統(tǒng)并非易事。即使在系統(tǒng)搭建完成后,要真正制備出單層石墨烯,還需要長時間的參數優(yōu)化。往往使得科研人員錯過了*的研究時機。
  G-CVD石墨烯化學氣相沉積系統(tǒng)由北京科銳精儀公司與國內*石墨烯研究機構合作開發(fā),提供完整的石墨烯生長系統(tǒng)??芍苽涓哔|量大面積石墨烯(zui大厘米量級)
  系統(tǒng)內置了在不同襯底上制備石墨烯所需要的參數,用戶只需簡單的選擇襯底類型,可以輕松的制備出自己的石墨烯。為研究人員節(jié)省大量時間。
  同時,G-CVD還可用于納米金剛石、碳納米管,及其它材料的CVD生長制備。
 
主要參數:
 
樣品腔
  溫度范圍:室溫~1050度
  功率:2.5 kW
  末端口:不銹鋼法蘭接口,外置水冷卻
  進樣方式:手動
 
氣路及真空
  氣體:
  Ar  純度99.99%以上,40L,配惰性氣體減壓閥,流量0~1000 sccm;
  H2  純度99.999%,40L,配氫氣減壓閥,流量0~200 sccm;
  CH4 純度99.999%,40L,配減壓閥,流量0~10 sccm (更大量程可選);
  13CH4 純度99.999%,10L,配減壓閥,流量0~10 sccm (限同位素CVD系統(tǒng));
 
機械泵:
  抽速400 L/min,極限真空5x10-3 Torr,油霧過濾
  液氮冷阱:用于獲得更高真空(可選配件)
  過壓泄氣閥:大于760Torr,自動開啟
  真空調節(jié)閥:調節(jié)樣品腔內的氣壓,手動(自動控制式可選)
 
控制模塊:
  溫度、氣流及真空采用計算機控制,其中部分功能也可以采用手動控制。計算機實時控制和顯示所有與生長有關的實驗參數,自動保存實驗參數,給實驗帶來*的方便,并提高實驗的精確性。


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