| 應用領域 | 電子 |
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型號： 反應離子刻蝕機PlasmaStar 200/200RIE
產地： 美國
品牌： Axic
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技術規格：
型號 | PlasmaStar 100 | PlasmaStar 100RIE | PlasmaStar 200 | PlasmaStar 200RIE |
艙體尺寸 | 直徑254×深度356mm | 直徑200×深度280mm | 寬305×高305×深406mm | 寬305 ×高200×深406mm |
艙體材質 | 標配為陽極氧化鋁艙體 | |||
常用氣體 | 空氣，氧氣，氫氣，氬氣，氮氣，CF4，SF6等和其他混合氣體 | |||
氣路控制 | 標配2路MFC，PlasmaStar 100多可選配4路， | 標配2路MFC，PlasmaStar 200多可選配5路； | ||
控制系統 | 電阻觸摸屏操作界面 | |||
程序控制 | PC觸屏控制，可編程序，無線存儲數據 | |||
射頻頻率 | 13.56 MHz | |||
射頻功率 | 0~600W瓦之間距連續可調，自動匹配 | 0~1000W瓦之間距連續可調，自動匹配 | ||
電極設計 | 標準圓柱形籠式電極； | 標準圓柱形籠式電極； 可選交替多層托盤電極； 可選RIE平面處理水冷平板電極 | ||
設備尺寸 | 寬800 x 深850 x 高525mm； | 寬1033 x 深850 x 高635mm； | ||
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