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美國Sinton WCT-120+Suns-Voc少子壽命測試儀器
參考價(jià) | ¥ 150000 |
訂貨量 | ≥1臺 |
- 公司名稱 深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司
- 品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/11/4 16:24:19
- 訪問次數(shù) 36
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美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀器
美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀器采用了的測量和分析技術(shù),包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測量方法??伸`敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過程中是一種被廣泛選用的檢測工具。這種QSSPC測量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個(gè)類似光照IV曲線的開路電壓曲線,可以結(jié)合最后的IV曲線對電池制作過程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。
主要應(yīng)用:分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝
其它應(yīng)用:
· 檢測原始硅片的性能
· 測試過程硅片的重金屬污染狀況
· 評價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞
· 用得到的類似IV的開壓曲線來評價(jià)生產(chǎn)過程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。
常見問題:
美國Sinton WCT-120與WT-2000測少子壽命的差異?
WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法,而WT2000是微波光電導(dǎo)衰減法。
WCT-120準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測少子壽命的原理?
WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo))
準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法(QSSPC)和微波光電導(dǎo)衰減法(MWPCD)的比較?
QSSPC方法于其他測試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對過剩載流子進(jìn)行測量,同時(shí)可以結(jié)合 SRH模型,得出各種復(fù)合壽命,如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。
MWPCD方法測試的信號是一個(gè)微分信號,而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實(shí)值,MWPCD在加偏置光的情況下,結(jié)合理論計(jì)算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線,而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度,因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關(guān)系曲線,并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度;MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè),甚至更小的尺寸,在照射過程中,只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子,也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值,這對于壽命分布不均勻的樣品來說,結(jié)果并不具備代表性。
主要特點(diǎn):
· 只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測試,包括表面電阻,少子壽命,陷阱密度,發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。
少子壽命測試儀 硅片少子壽命測試系統(tǒng) wct-120
WCT-120+Suns-Voc 技術(shù)規(guī)格
設(shè)備功能:硅片的少子壽命測試
少子壽命測試儀性能參數(shù):
1. 測量原理:QSSPC(準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo));
2. 少子壽命測量范圍:100 ns-10 ms;
3. 測試模式:QSSPC,瞬態(tài),壽命歸一化分析;
4. 電阻率測量范圍:3–600 (undoped) Ohms/sq
5. 注入范圍:1013-1016cm-3;
6. 感測器范圍:直徑40-mm;
7. 測量樣品規(guī)格:標(biāo)準(zhǔn)直徑: 40–210 mm (或更小尺寸);
8. 硅片厚度范圍:10–2000 μm;
9. 外界環(huán)境溫度:20°C–25°C;
10. 功率要求:測試儀: 40 W , 電腦控制器:200W ,光源:60W;
11. 通用電源電壓:100–240 VAC 50/60 Hz;
晶體硅硅片、規(guī)定以及工藝過程中l(wèi)ifetime測試技術(shù)
晶體硅太陽能電池少子壽命測試方法
少數(shù)載流子壽命(Minority carriers life time)
(1)基本概念:
載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子(因?yàn)橹挥猩贁?shù)載流子才能注入到半導(dǎo)體內(nèi)部、并積累起來,多數(shù)載流子即使注入進(jìn)去后也就通過庫侖作用而很快地消失了),所以非平衡載流子壽命也就是指非平衡少數(shù)載流子壽命,即少數(shù)載流子壽命。例如,對n型半導(dǎo)體,非平衡載流子壽命也就是指的是非平衡空穴的壽命。
對n型半導(dǎo)體,其中非平衡少數(shù)載流子——空穴的壽命τ,也就是空穴的平均生存時(shí)間,1/τ就是單位時(shí)間內(nèi)空穴的復(fù)合幾率,Δp/τ稱為非平衡空穴的復(fù)合率 (即n型半導(dǎo)體中單位時(shí)間、單位體積內(nèi)、凈復(fù)合消失的電子-空穴對的數(shù)目);非平衡載流子空穴的濃度隨時(shí)間的變化率為dΔp /dt =-Δp /τp, 如果τp與Δp 無關(guān), 則Δp 有指數(shù)衰減規(guī)律:Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。 實(shí)驗(yàn)表明, 在小注入條件 (Δp
(2)決定壽命的有關(guān)因素:
不同半導(dǎo)體中影響少數(shù)載流子壽命長短的因素,主要是載流子的復(fù)合機(jī)理(直接復(fù)合、間接復(fù)合、表面復(fù)合、Auger復(fù)合等)及其相關(guān)的問題。對于Si、Ge等間接躍遷的半導(dǎo)體,因?yàn)閷?dǎo)帶底與價(jià)帶頂不在Brillouin區(qū)的同一點(diǎn),故導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴的直接復(fù)合比較困難(需要有聲子等的幫助才能實(shí)現(xiàn)——因?yàn)橐獫M足載流子復(fù)合的動量守恒),則決定少數(shù)載流子壽命的主要因素是通過復(fù)合中心的間接復(fù)合過程。從而,半導(dǎo)體中有害雜質(zhì)和缺陷所造成的復(fù)合中心(種類和數(shù)量)對于這些半導(dǎo)體少數(shù)載流子壽命的影響極大。所以,為了增長少數(shù)載流子壽命,就應(yīng)該去除有害的雜質(zhì)和缺陷;相反,若要減短少數(shù)載流子壽命,就可以加入一些能夠產(chǎn)生復(fù)合中心的雜質(zhì)或缺陷(例如摻入Au、Pt,或者采用高能粒子束轟擊等)。對于GaAs等直接躍遷的半導(dǎo)體,因?yàn)閷?dǎo)帶底與價(jià)帶頂都在Brillouin區(qū)的同一點(diǎn),故決定少數(shù)載流子壽命的主要因素就是導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴的直接復(fù)合過程。因此,這種半導(dǎo)體的少數(shù)載流子壽命一般都比較短。當(dāng)然,有害的雜質(zhì)和缺陷將有更進(jìn)一步促進(jìn)復(fù)合、減短壽命的作用。
(3)少數(shù)載流子壽命對半導(dǎo)體器件的影響:
對于主要是依靠少數(shù)載流子輸運(yùn)(擴(kuò)散為主)來工作的雙極型半導(dǎo)體器件,少數(shù)載流子壽命是一個(gè)直接影響到器件性能的重要參量。這時(shí),常常采用的一個(gè)相關(guān)參量就是少數(shù)載流子擴(kuò)散長度L(等于擴(kuò)散系數(shù)與壽命之乘積的平方根),L即表征少數(shù)載流子一邊擴(kuò)散、一邊復(fù)合所能夠走過的平均距離。少數(shù)載流子壽命越長,擴(kuò)散長度就越大。
對于BJT,為了保證少數(shù)載流子在基區(qū)的復(fù)合盡量少(以獲得很大的電流放大系數(shù)),則必須把基區(qū)寬度縮短到少數(shù)載流子的擴(kuò)散長度以下。因此,要求基區(qū)的少數(shù)載流子壽命越長越好。
少子濃度主要由本征激發(fā)決定,所以受溫度影響較大。
簡介:
少子壽命是半導(dǎo)體材料和器件的重要參數(shù)。它直接反映了材料的質(zhì)量和器件特性。能夠準(zhǔn)確的得到這個(gè)參數(shù),對于半導(dǎo)體器件制造具有重要意義。
少子,即少數(shù)載流子,是半導(dǎo)體物理的概念。 它相對于多子而言。
半導(dǎo)體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導(dǎo)體材料中某種載流子占少數(shù),導(dǎo)電中起到次要作用,則稱它為少子。如,在 N型半導(dǎo)體中,空穴是少數(shù)載流子,電子是多數(shù)載流子;在P型半導(dǎo)體中,空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。
多子和少子的形成:五價(jià)元素的原子有五個(gè)價(jià)電子,當(dāng)它頂替晶格中的四價(jià)硅原子時(shí),每個(gè)五價(jià)元素原子中的四個(gè)價(jià)電子與周圍四個(gè)硅原子以共價(jià)鍵形式相結(jié)合,而余下的一個(gè)就不受共價(jià)鍵束縛,它在室溫時(shí)所獲得的熱能足以便它掙脫原子核的吸引而變成自由電子。出于該電子不是共價(jià)鍵中的價(jià)電子,因而不會同時(shí)產(chǎn)生空穴。而對于每個(gè)五價(jià)元素原子,盡管它釋放出一個(gè)自由電子后變成帶一個(gè)電子電荷量的正離子,但它束縛在晶格中,不能象載流子那樣起導(dǎo)電作用。這樣,與本征激發(fā)濃度相比,N型半導(dǎo)體中自由電子濃度大大增加了,而空穴因與自由電子相遇而復(fù)合的機(jī)會增大,其濃度反而更小了
少子壽命是半導(dǎo)體材料和器件的重要參數(shù)。它直接反映了材料的質(zhì)量和器件特性。能夠準(zhǔn)確的得到這個(gè)參數(shù),對于半導(dǎo)體器件制造具有重要意義。
少子是因電子脫離的原子,多子因電子加入而形成的原子.
少子壽命Life Time即少子形成到少子與多子結(jié)合的時(shí)間.
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