廣州金程科學儀器公司供應的RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特 別適合于大學、科研院所，微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及 復雜的幾何構形進行 RIE反應離子刻蝕。具體包括：

◆ 介 電 材 料 (SiO2、SiNx等)

◆ 硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)

◆III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)

◆ 濺射金屬 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)

◆ 類金剛石 (DLC)

等離子刻蝕機原理：

等離子蝕刻，也稱為干法蝕刻，等離子刻蝕機 是一種利用等離子體對半導體材料進行刻蝕加工的 設備，是半導體制造過程中不ke或缺的設備之一。 利用等離子體作為蝕刻介質，通過控制射頻功率、 氣體流量、壓力、蝕刻氣體種類、處理時間、平臺 溫度等工藝參數(shù)，選擇性地移除沉積層特定部分的 材料，將圖案蝕刻到基材上的過程。

應用領域：主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學、通訊等領域的器件研發(fā)和制造。

儀器特點：

◆ 7寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面，自動控制監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20個配方程序，工藝數(shù)據(jù)可存儲追溯。

◆ PLC 工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。

◆ 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質，耐腐蝕無污染。

◆ 采用防腐數(shù)字流量計，實現(xiàn)對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，可輸入氧氣、氬氣、 氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

◆ 采用花灑式多孔進氣方式，改變單孔進氣不均勻問題。

◆  HEPA 高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

◆ 符合人體功能學的60度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。

◆ 采用頂置真空艙，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。

◆ 上置式360度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。

◆ 有效處理面積大，可處理最大直徑154mm  晶元硅片。

◆ 安全保護，艙門打開，自動關閉電源，機器運行、停止提示。

技術參數(shù)

備注： 可選：1、冷卻循環(huán)水器：溫度控制范圍-20-100℃;2、分子泵：分子泵抽速85L/s(N2)  極 限 真 空 ：LF<8*10-

6Pa,CF<8*10-7Pa。

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