化學氣相沉積MOCVD
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- 公司名稱 研啟科學儀器(東莞)有限公司
- 品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2024/10/22 15:40:09
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v MOCVD設備是通過將反應物質以有機金屬化合物氣體分子的形式,經載帶氣體送到反應室,進行熱分解反應而生長出薄膜材料
v 應用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等
v 從研發到大規模生產
v 襯底尺寸:3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch
通過載波交換實現:6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch
v Ga2O3薄膜生長速率:>3um/h
v Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范圍由AFM在Ga2O3襯底上測量 ≤1.0 nm
v 加熱系統:采用鎢絲加熱,三溫區控制,溫度至1400℃
v 反應腔室內托盤與噴淋頭間距可調(范圍覆蓋5 mm至25 mm)
v 工藝過程中,具有實時晶圓表面溫度和晶圓翹曲度監測功能
v 搭載溫度監測系統,可實時掃描晶圓溫度mapping圖