LK Technologies低能電子衍射儀真空組件

自1998年以來，LK一直在全球范圍內提供LEED低能電子衍射儀系統。

RVL2000低能電子衍射儀(LEED)的精密反向LEED低能電子衍射儀光學元件采用所有UHV結構，無需使用玻璃纖維或聚合物涂層線束。提供完整系列的型號和選件，包括低電流（nA，pA）MCP型號。所有光學器件均采用4網格結構，以實現與俄歇電子能譜AES連用

• 采用4格鎢光學元件的精密結構

• 微型1.59厘米直徑電子槍

• 103度可用視角

• 0.5％的能量分辨率

• 提供可伸縮光學元件（標準2英寸和最大4英寸縮回）

• 安裝法蘭具有整體視口和電氣穿通裝置

• 與UHV兼容（不使用聚合物涂層或玻璃纖維絕緣線）

• 低噪音，高性能的俄歇電子設備，帶有集成鎖定放大器

• MCP版本的pA和nA電流水平

• 全系列選項包括低調快門，CCD攝像頭和軟件，6英寸和8英寸外徑法蘭型號

• LK Technologies低能電子衍射儀真空組件

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• HREELS高分辨電子能量損失譜儀在分辨率和信號水平方面表現全球。現在結合我們的多通道分析儀選件（EA5000MCA），可實現數據采集速度。用于研究表面分子振動，表面聲子和等離子體以及電子能級和能帶隙。

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• 超高分辨率0.5 meV FWHM

• 在1.0 meV分辨率（FWHM）下保證探測器電流大于或等于10pA

• 采用具有可控角度像差的新型靜電偏轉器

• 具有菜單驅動軟件的低噪聲數字控制電子設備

• 用戶可選擇的掃描范圍高達50 eV，適用于電子振動/電子應用

• LK1000M電子槍有出色能量分辨率的電子源，針對高輸出電流進行了優化 應用于逆UPS，EELS等電子碰撞實驗。

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• 低于10 meV的能量分辨率可通過能量調節

• 在20 meV能量分辨率下，典型輸出電流> 10 nA

• 單通道雙聚焦單色器，具有空間電荷優化功能

• 5元素變焦鏡頭/轉移鏡頭，適用于長工作距離

• 整體磁屏蔽

• 除了表面分析組件外，LK Technologies還專門設計和構建完整的特高壓系統，這些系統通常結合了LK組件和其他制造商的多種表面分析方法。

• 這些系統的常見元件是精密UHV室，主泵（通常是離子泵），輔助泵（通常是渦輪分子），精密樣品操縱器，安裝框架和真空計量。客戶通常要求的可選組件是快速樣品引入系統（加載鎖定）和烘烤控制。

• 請聯系LK獲取更多信息，并討論您的自定義系統要求。多探針分析系統是全球實驗室提供的一個例子：

• 多探針分析系統，包括XPS分析，X射線單色儀，半球形分析儀，AES，ISS，多通道HREELS和帶有快速樣品加載系統的完整樣品制備室。

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LK-Technologies強大，流行的離子源設計用于通過離子濺射清潔表面，光束能量高達3 keV，典型離子電流高達30μA。該噴槍采用了一種新穎的氣體噴射系統，該系統允許在典型的1×10 -6托的腔室壓力下進行濺射。

• 氣體注入系統避免了昂貴的差動泵送設備

• 低室壓下的惰性氣體濺射

• 寬離子束確保均勻濺射

• 與普通濺射清潔和ISS應用兼容

• 連續可調諧的電壓從200 V到3 kV

• 帶USB或以太網接口的數字控制電子設備