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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>濕法工藝設備>濕法腐蝕/刻蝕設備>HSE系列 深硅刻蝕機

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HSE系列 深硅刻蝕機

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創新型中小企業、科技型中小企業、規模以上工業企業。

 

 

 

 

 

 

 

 

冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發

1.產品概述:

HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝。可以配置手動及自動傳輸系統。產品配置高密度雙立體等離子體源,中心邊緣進氣,快速氣體切換,低頻脈沖下電極系統,可以實現高速、高深寬比、高均勻性及極小的側壁粗糙度。HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結構布局,能夠減小占地,提升產能。系統主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區部件、電源柜等組成。可實現自動化地上下料及自動工藝。

2.設備應用

  HSE M200

晶圓尺寸:

8英寸及以下

適用材料:

硅、SOISOG

適用工藝:

深硅刻蝕

適用領域:

微機電系統、科研領域

 

HSE P300

晶圓尺寸:

8/12英寸兼容

適用材料:

硅、氧化硅、氮化硅

適用工藝:

深槽刻蝕、深孔刻蝕、扇出型封裝硅載體刻蝕、露銅刻蝕等

適用領域:

先進封裝

 

 3.設備特點

HSE M200

雙等離子源和雙區進氣,保證高刻蝕均勻性和高刻蝕速率

兼容性強,工藝種類多樣,應用領域廣泛,系統可靠性強

靈活的系統配置,適合研發、中試線、大規模生產線的不同應用

低擁有成本和運營成本

HSE P300

使用立體高密度等離子源,大幅提升刻蝕速率

雙等離子源和雙區進氣,確保較高的均勻性

全自動化軟件控制,高產能

低擁有成本和運營成本




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