DAPD 5×5-1550-100-300 Amplification近紅外探測(cè)器陣列
- 公司名稱 深圳維爾克斯光電有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) DAPD 5×5-1550-100-300
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/8/19 11:57:44
- 訪問(wèn)次數(shù) 98
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5×5陣列,950~1650nm,具有溫度穩(wěn)定功能的近紅外離散放大光子探測(cè)器陣列
美國(guó)Amplification Technologies近紅外離散放大光子探測(cè)器陣列(DAPD:Discrete Amplification Photon Detector)5×5陣列近紅外探測(cè)器,具有溫度穩(wěn)定功能。Amplification1550系列5x5近紅外光電探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)近紅外光譜響應(yīng),950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測(cè)器5x5 Array,轉(zhuǎn)為3D激光雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。DAPDNIR 5x5 Array探測(cè)器利用了Amplification Technologies開(kāi)發(fā)和獲得利的突破性離散放大方法,該方法使用多通道放大和單片集成負(fù)反饋雪崩機(jī)制來(lái)放大低電平電信號(hào)。離散放大技術(shù)具有內(nèi)部放大功能,可提供非常高的增益(約100,000),這與非常低的過(guò)量噪聲系數(shù)(低于1.05)和快速響應(yīng)(上升時(shí)間快于0.6ns)相結(jié)合。這些特性使NIR陣列式光電探測(cè)器DAPD能夠檢測(cè)單光子,并優(yōu)化極低光水平的檢測(cè)。Amplification近紅外探測(cè)器陣列
離散放大InGaAs光子探測(cè)器陣列采用KOVAR材料制成的密封包裝,其中包括一個(gè)低功率兩級(jí)熱電冷卻器(TEC)和一個(gè)熱敏電阻。該包裝允許Amplification探測(cè)器在寬環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,同時(shí)使1550系列5x5探測(cè)器陣列保持在-50°C的穩(wěn)定溫度,前提是在近紅外銦鎵砷探測(cè)器5x5 Array包裝底部進(jìn)行適當(dāng)?shù)纳帷?/p>
近紅外銦鎵砷探測(cè)器陣列的主要特點(diǎn):
-5×5陣列近紅外探測(cè)器采用In0.47Ga0.53As吸收器設(shè)計(jì),可在950nm至1650nm的寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)工作
-設(shè)計(jì)用于在各種環(huán)境溫度下運(yùn)行,其中使用低功率兩級(jí)熱電冷卻器冷卻陣列溫度
-針對(duì)0.1ns至20ns激光雷達(dá)脈沖檢測(cè)的定制設(shè)計(jì),具有高達(dá)50MHz的高重復(fù)頻率
- NIR InGaAs光子探測(cè)器陣列具有佳的偏置電壓穩(wěn)定性
-每光子約75,000電子的高增益,足夠高以允許50Ω射頻前置放大器;無(wú)需進(jìn)行跨阻抗匹配
-低噪聲因子
NIR陣列式光電探測(cè)器主要應(yīng)用:
1550系列5x5近紅外光電探測(cè)器系列設(shè)計(jì)用于激光雷達(dá)系統(tǒng)、三維激光雷達(dá)成像和環(huán)境監(jiān)測(cè)應(yīng)用。該NIR InGaAs光子探測(cè)器陣列針對(duì)0.5ns至20ns的激光脈沖長(zhǎng)度進(jìn)行了優(yōu)化。25個(gè)探測(cè)器中的每個(gè)探測(cè)器都分別連接到封裝中的專用引腳,在封裝的四面都有公共陰極連接。能夠連接到25個(gè)像素中的任何一個(gè)提供了多個(gè)級(jí)別的靈活性。例如,離散放大InGaAs光子探測(cè)器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個(gè)寬面積探測(cè)器。
NIR InGaAs探測(cè)器陣列作為50Ω系統(tǒng)的電子放大提供了額外的設(shè)計(jì)功能靈活性,使用現(xiàn)成的50Ω電子放大。陣列設(shè)計(jì)為在脈沖檢測(cè)模式下以恒定偏置運(yùn)行,以連續(xù)模式運(yùn)行,進(jìn)一步降低了電氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,并提供了許多選項(xiàng)來(lái)將Amplification探測(cè)器陣列系統(tǒng)與模擬到數(shù)字采樣系統(tǒng)、幀抓取器等進(jìn)行集成。
Amplification近紅外探測(cè)器陣列的規(guī)格:
注:下表的近紅外銦鎵砷探測(cè)器陣列規(guī)格是在封裝環(huán)境溫度為-45°C時(shí)得出的;所有數(shù)值均為典型值。
(1)光子檢測(cè)效率包括后脈沖。
(2)最佳靈敏度的工作偏置Vop由Amplification Technologies測(cè)試后提供。
Amplification近紅外探測(cè)器陣列