1.產品概述：

高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統主要由濺射真空室、旋轉靶臺、抗氧化基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

2.設備用途：

高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應用于大院校、科研院所進行薄膜材料的科研。

3.產品優點：

可對化學成分復雜的復合物材料進行全等同鍍膜，易于保證鍍膜后化學計量比的穩定。

反應迅速，生長快，通常一小時可獲得一定厚度的薄膜。

定向性強、薄膜分辨率高，能實現微區沉積。

生長過程中可原位引入多種氣體，對提高薄膜質量有重要意義。

容易制備多層膜和異質膜，通過簡單的換靶即可實現

4.真空室結構:

球形結構

真空室尺寸:Ф300mm

限真空度:≤6.67E-5Pa

沉積源:Φ30mm,每次可裝4塊靶材，可實現公轉換靶位；每塊靶材可自轉，轉速5～60轉/分；

樣品尺寸，溫度:1英寸，高800℃

占地面積（長x寬x高）:約1.8米x0.97米x1.9米

電控描述:全自動

工藝:片內膜厚均勻性：≤±5%