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PECVD等離子沉積設(shè)備

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PECVD等離子沉積設(shè)備

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北京瑞科中儀科技有限公司一家是專門從事數(shù)碼光學顯微鏡及相關(guān)實驗室設(shè)備研發(fā)與銷售的新型高科技公司,也專注于半導體材料研究與分析設(shè)備的經(jīng)銷和代理,為高校、企業(yè)科研工作者提供專業(yè)的材料分析解決方案,北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應多種分子材料的研究分析設(shè)備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)、離子束刻蝕機、等離子清洗機、物理氣相沉積系統(tǒng)以及各品牌的光學顯微鏡以及實驗室設(shè)備儀器,以專業(yè)能力導向,精細工藝流程,用科學手段解決科研中遇到的難題.彼此協(xié)作,為我國的科研領(lǐng)域譜寫新篇章。

公司主要產(chǎn)品包括:生物顯微鏡、金相顯微鏡、偏光顯微鏡、體視顯微鏡、數(shù)碼顯微鏡、顯微鏡數(shù)碼相機照相接口、顯微鏡*冷光源、數(shù)碼圖像分析系統(tǒng)、測量顯微鏡、三座標測量顯微鏡,激光細胞顯微操作 拉曼顯微鏡光學儀器及設(shè)備/光學顯微鏡/熒光顯微鏡光學儀器及設(shè)備/電子顯微鏡/其它電子顯微鏡半導體行業(yè)專用儀器/其它半導體行業(yè)儀器設(shè)備其它半導體設(shè)備生命科學儀器/分子生物學儀器/PCR儀生命科學儀器/分子生物學儀器/基因測序儀生命科學儀器/分子生物學儀器/DNA合成儀半導體行業(yè)專用儀器/薄膜生長設(shè)備/其它薄膜沉積設(shè)備半導體行業(yè)專用儀器/光刻及涂膠顯影設(shè)備/無掩模光刻機/直寫光刻機

公司經(jīng)銷代理品牌包括:蔡司顯微鏡,奧林巴斯顯微鏡,尼康顯微鏡,徠卡顯微鏡,國產(chǎn)各廠家顯微鏡, 華粵行 ,基恩士 , 日本電,日立 ,布魯克,三和聯(lián), sentech(森泰克),SYSKEY(矽碁), PE(鉑金埃爾默)全系產(chǎn)品 ,天美愛丁堡,原子光譜,氣相色譜,PE(鉑金埃爾默)全系產(chǎn)品

代理經(jīng)銷的產(chǎn)品種類包括,熒光顯微鏡,熒光顯微成像系統(tǒng),激光捕獲顯微切割,全自動切片掃描,三維超景深顯微系統(tǒng),動物超聲系統(tǒng),3D超景深顯微鏡,形貌探測顯微鏡,蔡司共聚焦顯微鏡,全自動數(shù)字切片掃描,病理切片掃描,激光切割顯微系統(tǒng),立體顯微鏡,國產(chǎn)激光共聚焦顯微鏡,精準醫(yī)學顯微切割,激光顯微切割系統(tǒng),按需搭建顯微系統(tǒng),熒光光譜儀,激光細胞顯微操作 拉曼顯微鏡光學儀器及設(shè)備/光學顯微鏡/熒光顯微鏡光學儀器及設(shè)備/電子顯微鏡/其它電子顯微鏡半導體行業(yè)專用儀器/其它半導體行業(yè)儀器設(shè)備其它半導體設(shè)備生命科學儀器/分子生物學儀器/PCR儀生命科學儀器/分子生物學儀器/基因測序儀生命科學儀器/分子生物學儀器/DNA合成儀半導體行業(yè)專用儀器/薄膜生長設(shè)備/其它薄膜沉積設(shè)備半導體行業(yè)專用儀器/光刻及涂膠顯影設(shè)備/無掩模光刻機/直寫光刻機


公司成立伊始,即本著“以人為本,誠信發(fā)展,合作共贏"的企業(yè)宗旨,快樂中結(jié)識新朋友,穩(wěn)步中追求新發(fā)展。目前公司已經(jīng)擁有一支由專業(yè)技術(shù)人員、營銷人員和維修人員組成的強大隊伍,竭誠為廣大客戶提供包括技術(shù)咨詢、產(chǎn)品配套、安裝調(diào)試、應用指導、維護保養(yǎng)在內(nèi)的整套細致入微的服務。同時公司還依托中國地質(zhì)研究院、清華大學、中國農(nóng)業(yè)大學、中科院等科研院所的強大技術(shù)實力,特聘多名教授、博士作為我公司提供多方面的技術(shù)支持。

公司儲備各顯微鏡現(xiàn)貨,只要您有需求,我們就能隨時為您提供各種產(chǎn)品選配服務。公司管理層、營銷隊伍和技術(shù)人員都具備多年的專業(yè)技術(shù)經(jīng)驗,相信我們的質(zhì)量和服務一定是顯微光學領(lǐng)域中無法可比的。

北京瑞科中儀科技有限公司秉承“專業(yè)的人員,過硬的技術(shù),優(yōu)秀的產(chǎn)品"精神,為您提供專業(yè)、及時、周到的技術(shù)服務,北京瑞科中儀科技有限公司必將成為您值得信賴的伙伴!












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價格區(qū)間 100萬-200萬 應用領(lǐng)域 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),石油,能源,制藥

PECVD等離子沉積設(shè)備

低成本效益高

PECVD等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備Depolab 200將平行板等離子體源設(shè)計與直接載片相結(jié)合。

升級擴展性

根據(jù)其模塊化設(shè)計,PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組,低頻射頻源和更多的氣路。

SENTECH控制軟件

強大的用戶友好軟件包括模擬圖形用戶界面,參數(shù)窗口,工藝處方編輯窗口,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。


Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備,它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計和直接載片的成本效益設(shè)計的優(yōu)點。從2″至8″晶片和樣品的標準應用開始,可以逐步升級以完成復雜的工藝。

PECVD Depolab 200的顯著特點是系統(tǒng)的可靠設(shè)計,軟件和硬件的靈活性。在該設(shè)備上開發(fā)了不同的工藝,例如用于高質(zhì)量氮化硅和氧化硅層的沉積。PECVD Depolab 200包括帶氣路柜的反應腔體,電子控制,計算機、前級泵和配電箱。

Depolab 200 等離子增強沉積設(shè)備用于在從室溫到400℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特別適用于沉積用于刻蝕掩膜,電隔離膜及其他的介質(zhì)膜。

PECVD Depolab 200由SENTECH的控制軟件操作,使用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。

  • Depolab 200


  • 等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備

  • 開蓋載片

  • 適用于大到200mm的晶片

  • 襯底溫度可高達400?°C

  • 可選低頻射頻降低應力

  • 干泵組

  • 占地面積小

  • PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)等離子沉積設(shè)備是一種先進的材料表面處理技術(shù),廣泛應用于半導體制造、光伏產(chǎn)業(yè)、防護涂層及生物醫(yī)學等多個領(lǐng)域。該技術(shù)通過利用等離子體的能量激活化學反應,在基材表面沉積出具有特定性能的薄膜,具有低溫過程、高附著力和均勻性、優(yōu)異的覆蓋能力以及環(huán)境友好等顯著特點。以下是對PECVD等離子沉積設(shè)備的詳細產(chǎn)品介紹。### 一、技術(shù)原理PECVD技術(shù)結(jié)合了等離子體物理與化學氣相沉積的優(yōu)勢,通過射頻等手段使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體。等離子體中的高能電子、離子和自由基等活性粒子與氣體分子發(fā)生碰撞,促進化學反應的進行,從而在基材表面沉積出所需的薄膜。這一過程不僅降低了沉積溫度,還提高了沉積速率和薄膜質(zhì)量。### 二、設(shè)備特點1. **高真空系統(tǒng)**:PECVD設(shè)備通常配備有高真空系統(tǒng),由雙級旋片真空泵和分子泵組成,以確保反應腔體內(nèi)的高真空度,有利于減少雜質(zhì)干擾,提高薄膜質(zhì)量。2. **精確的氣體控制系統(tǒng)**:設(shè)備采用數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng),由多路質(zhì)量流量計、流量顯示儀等組成,實現(xiàn)對氣體流量的精確測量和控制。同時,每條氣體管路均配備高壓逆止閥,保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性。3. **模塊化設(shè)計**:PECVD設(shè)備往往采用模塊化設(shè)計,便于根據(jù)實際需求進行升級和擴展。例如,可以升級為更大的真空泵組、低頻射頻源和更多的氣路,以滿足不同工藝的需求。4. **先進的控制系統(tǒng)**:設(shè)備配備有先進的控制軟件,通過遠程現(xiàn)場總線技術(shù)和用戶友好的圖形用戶界面,實現(xiàn)對工藝參數(shù)的精確控制和實時監(jiān)控。用戶可以通過參數(shù)窗口、工藝處方編輯窗口等功能,輕松設(shè)置和調(diào)整工藝參數(shù)。5. **廣泛的適用性**:PECVD設(shè)備適用于多種材料的薄膜沉積,包括氧化硅、氮化硅、碳膜等。同時,其優(yōu)異的覆蓋能力使得該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對復雜形狀基材的均勻涂覆。### 三、應用領(lǐng)域1. **半導體制造**:在半導體設(shè)備生產(chǎn)中,PECVD技術(shù)用于沉積氧化硅、氮化硅等介電層,這些層是制造現(xiàn)代集成電路。通過精確控制薄膜的厚度和均勻性,PECVD技術(shù)有助于提高半導體器件的性能和可靠性。2. **光伏產(chǎn)業(yè)**:PECVD被廣泛應用于太陽能板的生產(chǎn)過程中,特別是在沉積硅薄膜和透明導電氧化物(TCO)層方面。








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