低損傷蝕刻

由于離子能量低且離子能量分布窄，因此可以使用SENTECH電感耦合等離子體（ICP）蝕刻工具進行低損傷蝕刻和納米結構。

簡單的高速率蝕刻

使用室溫交替工藝或低溫工藝實現光滑側壁，可以很容易地使用高縱橫比的 MEMS 的 Si 進行高速等離子體蝕刻。

SENTECH專有的等離子體源技術

SENTECH平面三重螺旋天線（PTSA）等離子體源是一種等離子體處理系統功能。PTSA 源產生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器、量子點和 HEMT 的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點火性能，適用于處理各種材料和結構。

動態溫度控制

等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。化合物半導體中的凹槽和臺面蝕刻等應用展示了最佳的工藝控制，這對于高器件性能是必要的。