日本MARUWA高純氮化鋁高電絕緣性半導體封裝 ANF-A / ANF-S系列 特點介紹

利用陶瓷基板技術開發出的高導熱填料，體現了氮化鋁（AlN）其材料本身具有的性能，

源于精益求精的高品質材料以及成熟的一體化生產體系，并基于其穩定性與高導熱率，可以大大期待提高樹脂等產品的導熱性能。

產品廣泛用于導熱膠，導熱墊片等導熱材料（TIM）產品，以及金屬基板涂層，半導體封裝等領域。

日本MARUWA高純氮化鋁高電絕緣性半導體封裝 ANF-A / ANF-S系列 規格參數

ANF-A 系列

粒度分布范圍窄

等方狀顆粒

高純度

ANF-S 系列

顆粒形狀接近于球形

粒度分布范圍窄

高填充率

高熱導率（約為氧化鋁粉填料的7倍）

高電絕緣性

項目 單位 A-Series S-Series

A-01-F A-05-F S-30 S-50 S80

松密度 g/? 0.36 0.66 1.50 1.65 1.65

熱導率 W/mK 180 ~ 200

電氣絕緣性 Ω/㎝ >1014

熱膨脹系數 X10-6/°C 4 ~ 5

顆粒形狀 - 等方形狀 球形

利用陶瓷基板技術開發出的高導熱填料，體現了氮化鋁（AlN）其材料本身具有的性能，

源于精益求精的高品質材料以及成熟的一體化生產體系，并基于其穩定性與高導熱率，可以大大期待提高樹脂等產品的導熱性能。

產品廣泛用于導熱膠，導熱墊片等導熱材料（TIM）產品，以及金屬基板涂層，半導體封裝等領域。