1 產(chǎn)品概述:

   干法刻蝕是一種利用物理或物理與化學相結(jié)合的方法，通過高能氣體分子或離子束轟擊固體表面，使材料發(fā)生化學反應或物理濺射，從而去除不需要的部分，實現(xiàn)高精度的加工過程。干法刻蝕在半導體制造、微納加工、光學加工等領域具有廣泛應用，是芯片制造中的關鍵技術之一。

2 設備用途：

干法刻蝕設備主要用于以下領域：

1. 半導體制造：在半導體芯片制造過程中，干法刻蝕被用于去除硅片表面的多余材料，形成精確的電路圖形。這是半導體制造工藝中的關鍵環(huán)節(jié)之一，直接影響芯片的性能和良率。

2. 微納加工：干法刻蝕機在微納加工中扮演著重要角色，能夠制作出微米和納米級別的精細結(jié)構，如微型天線、納米光子晶體、微結(jié)構電極等。

3. 光學加工：在光學領域，干法刻蝕機被用于制作高精度、高質(zhì)量的光學元件，如微型透鏡、激光反射面、偏振器件、光通訊器件等。

3 設備特點

干法刻蝕設備具有以下特點：

1. 高精度：干法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)微米甚至納米級別的加工精度，滿足高精度加工的需求。

2. 高選擇比：干法刻蝕在刻蝕過程中能夠精確控制不同材料的刻蝕速率，實現(xiàn)高選擇比刻蝕，減少對其他材料的損傷。

3. 各向異性好：干法刻蝕技術能夠產(chǎn)生垂直度高的側(cè)壁，有利于形成精確的圖形結(jié)構。

4. 刻蝕損傷小：相比濕法刻蝕，干法刻蝕在刻蝕過程中產(chǎn)生的損傷較小，有利于保護底層材料。

4 技術參數(shù)和特點：

4inch晶圓可放置7片同時處理，6inch晶圓可實現(xiàn)3片同時處理，小尺寸晶圓方面，2inch晶圓可實現(xiàn)29片、3英寸可對應12片同時處理。

•搭載了在化合物半導體域擁有600臺以上出貨實績的有磁場ICP（ISM）高密度等離子源。

•高生產(chǎn)性（比以提高140%）。

•為防止RF投入窗的污染搭載了愛發(fā)科星型電。

•貫徹Depo對策，實現(xiàn)了維護便利、長期穩(wěn)定、高信賴性的硬件。

•擁有豐富的工藝應用的干法刻蝕技術（GaN藍寶石、各種metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導體）。