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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>原子層沉積設備> 雙腔體脈沖激光沉積系統

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雙腔體脈沖激光沉積系統

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北京瑞科中儀科技有限公司專注半導體材料研究分析設備的研發和應用。專業的團隊,專精的服務,提供理想的解決方案。

我們長期專注于半導體材料研究與分析設備的經銷和代理,為高校、企業科研工作者提供專業的分析解決方案。以專業技能為導向,用科技來解決用戶在科研中遇到的難題。專業的技術工程師和科研工作者進行現場演示和技術交流,打消顧慮,彼此協作,為我國的科研領域譜寫新篇章。

北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應多種分子材料的研究分析設備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應耦合等離子體化學氣相沉積系統、離子束刻蝕機、等離子清洗機、物理氣相沉積系統以及各品牌的光學顯微鏡以及實驗室設備儀器。

客戶至上的服務理念,以人為本的企業文化,我們始終為用戶提供專業的服務!

合作丨共贏,選擇我們,選擇未來!

 

半導體材料分析,材料刻蝕

價格區間 10萬-50萬 應用領域 化工,石油,交通,制藥,綜合
腔體尺寸 球形腔體,直徑:400 mm 樣品尺寸 1 英寸或 2 英寸向下兼容
樣品加熱 輻射式加熱 / 電阻式加熱 / 激光加熱 1000 ℃ / 950 ℃ / 1400 ℃ 靶臺操控 6 靶位,1 英寸靶托,公自轉設計
抽氣泵組 國產: BWVAC油泵,360 l/min KYKY分子泵,600 l/s 真空測量 國產:Reborn電阻電離復合規
氣路 國產:質量流量計Flowmethod,50 / 100 sccm 控壓方式 手動角閥/漏閥控壓
極限真空 手動角閥/漏閥控壓 極限真空 5 x 10-9 mbar

雙腔體脈沖激光沉積系統Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System)是一種先進的薄膜制備技術,它結合了脈沖激光沉積(PLD)技術和雙腔體設計的優勢。這種系統通常用于在實驗室環境中生長高質量的薄膜材料,廣泛應用于物理、化學、材料科學和工程等領域。

脈沖激光沉積(PLD)是一種物理氣相沉積技術,它利用高能量的脈沖激光束轟擊靶材表面,使靶材物質迅速蒸發、電離并形成等離子體羽輝。這些高能量的離子和原子隨后沉積在基片表面,經過成核和生長過程形成薄膜。PLD具有生長速度快、薄膜成分易于控制、能夠保持靶材的原始結構等優點。

雙腔體設計則進一步提高了PLD系統的靈活性和功能性。該系統通常包含兩個獨立的沉積腔室,每個腔室都可以獨立地進行薄膜生長過程。這種設計允許研究人員在同一臺設備上同時制備不同種類的薄膜,或者在不同的生長條件下進行對比實驗。此外,雙腔體設計還可以減少實驗過程中的污染和交叉污染風險,提高實驗結果的可靠性。

雙腔體脈沖激光沉積系統通常配備有先進的光學系統、激光系統、真空系統和控制系統等組件。光學系統用于精確控制激光束的聚焦和定位,確保激光能夠準確地轟擊靶材表面。激光系統則提供高能量的脈沖激光束,激發靶材物質形成等離子體羽輝。真空系統則用于維持腔室內的高真空環境,防止外界氣體對薄膜生長的干擾。控制系統則負責整個系統的自動化運行和參數調整,確保實驗過程的穩定性和可重復性。

總之,雙腔 體脈沖激光沉積系統是一種高效、靈活且可靠的薄膜制備技術,它在材料科學研究和新材料開發中發揮著重要作用。通過精確控制實驗條件和參數,研究人員可以制備出具有優異性能的新型薄膜材料,為推動科技進步和創新做出重要貢獻。




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