RIE200/RIE200plus 等離子刻蝕機
- 公司名稱 廣州金程科學儀器有限公司
- 品牌 CIF
- 型號 RIE200/RIE200plus
- 產地 河北
- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2024/8/27 16:26:21
- 訪問次數 700
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廣州金程科學儀器公司供應等離子刻蝕機,RIE反應離子刻蝕機采用RIE反應離子誘導激發方式,實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特 別適合于大學、科研院所,微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價比高,易維護,處理快速高效。適用于所有的基材及 復雜的幾何構形進行 RIE反應離子刻蝕。具體包括:
介 電 材 料 (SiO2、SiNx等)
硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)
III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)
濺射金屬 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)
類金剛石 (DLC)
等離子刻蝕機原理:
等離子蝕刻,也稱為干法蝕刻,等離子刻蝕機 是一種利用等離子體對半導體材料進行刻蝕加工的 設備,是半導體制造過程中的設備之一。 利用等離子體作為蝕刻介質,通過控制射頻功率、 氣體流量、壓力、蝕刻氣體種類、處理時間、平臺 溫度等工藝參數,選擇性地移除沉積層特定部分的 材料,將圖案蝕刻到基材上的過程。
應用領域:主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學、通訊等領域的器件研發和制造。
儀器特點:
7寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面,自動控制監測工藝參數狀態,20個配方程序,工藝數據可存儲追溯。
PLC 工控機控制整個清洗過程,手動、自動兩種工作模式。
真空艙體、全真空管路系統采用316不銹鋼材質,耐腐蝕無污染。
采用防腐數字流量計,實現對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統,可選多氣路氣體輸送系統,可輸入氧氣、氬氣、 氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。
采用花灑式多孔進氣方式,改變單孔進氣不均勻問題。
HEPA 高效過濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。
符合人體功能學的60度傾角操作界面設計,操作方便,界面友好。
采用頂置真空艙,上開蓋設計,下壓式鉸鏈開關方式。
上置式360度水平取放樣品設計,符合人體功能學,操作更方便。
有效處理面積大,可處理最大直徑154mm 晶元硅片。
安全保護,艙門打開,自動關閉電源,機器運行、停止提示。
等離子刻蝕機技術參數:
型號 | RIE200 | RIE200plus |
艙體內尺寸 | H38xφ260mm | H38xφ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴RIE電極,φ200mm | 不銹鋼氣浴RIE電極,φ200mm |
匹配器 | 自動匹配 | 自動匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 0-600W可調(可選0-1000W) | 0-300W可調(可選0-600W) |
氣體控制 | 質量流量計(MFC) (標配雙路,可選多路)流量范圍0-500SCCM(可調) | |
工藝氣體 | Ar、N? 、O? 、H? 、CF4、CF4+H2、CHF3或其他混合氣體等(可選) | |
最大處理尺寸 | φ154mm | |
產品尺寸 | L520xW600xH420mm | |
包裝尺寸 | L700xW580xH490mm | |
時間設定 | 9999秒 | |
真空泵 | 抽速約8m3/h | |
氣體穩定時間 | 1分鐘 | |
極限真空 | ≤1Pa | |
電源 | AC220V 50-60Hz,802(1202)502(802)W所有配線符合《低壓配電設計規范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規范》等國標標準相關規定。 | |
整機重量 | 38kg |
備注: 可選:1、冷卻循環水器:溫度控制范圍-20-100℃;2、分子泵:分子泵抽速85L/s(N2) 極 限 真 空 :LF<8*10-
6Pa,CF<8*10-7Pa。
等離子刻蝕機信息由廣州金程科學儀器有限公司為您提供。