MIRA Brochure掃描電鏡是一款超高分辨分析型場發(fā)射掃描電鏡，配置高亮度肖特基電子槍。鏡筒中增加了特殊的透鏡- TESCAN 中間鏡-能夠優(yōu)化束斑并獲得更大的束流，還提供了景深(DEPTH)模式和大視野(Wide-Field”)觀察模式，大視野光路(Wide-Field Optics™)技術(shù)可以隨時為用戶提供樣品的清晰全景圖，幫助客戶快速、精確的導(dǎo)航到樣品上正確的感興趣區(qū)域;景深模式拓展了可聚焦的深度，因此那些需要聚焦深度極大的樣品可以在該模式下成像。

主要特性：

MIRA Brochure掃描電鏡是推出的第四代高性能掃描電子顯微鏡中的一員，配置有高亮度肖特基場發(fā)射電子槍。在TESCAN Essence"電鏡操作軟件中實(shí)現(xiàn)了同一個窗口完成電鏡成像和元素分析，這大大簡化了從樣品中獲取形貌和元素數(shù)據(jù)的過程。MIRA 為質(zhì)量控制、失效分析和實(shí)驗室常規(guī)材料檢測提供了有效的分析解決方案。

1、集成的能譜分析(EssenceT EDS)-在 SEM 實(shí)時掃描窗口中完成掃描電鏡成像和元素成分分析。

2、TESCAN 無光闌光路設(shè)計可快速獲得成像和分析條件。

3、放大倍數(shù)可至2倍，輕松且精確地對樣品進(jìn)行導(dǎo)航。

4、直觀且模塊化 Essence™ 軟件，任何經(jīng)驗水平的用戶，均可輕松操作。

5、Essence™ 3D 防碰撞模型，當(dāng)樣品臺和樣品移動時,可保證安裝在樣品室內(nèi)附件的安全。

6、標(biāo)配 singleVac 模式，可直接觀察不導(dǎo)電樣品或電子?xùn)|敏感樣品。

7、可選配的鏡筒內(nèi) SE 和 BSE 探測器，結(jié)合電子束減速技術(shù)極大的提升了低電壓下的成像性能。

應(yīng)用：

適用于金屬樣品的亞微米級高分辨檢測

在質(zhì)量控制實(shí)驗室中，掃描電鏡通常是金屬樣品進(jìn)行質(zhì)量分析和常規(guī)檢測的重要手段。TESCAN MIRA配置了高亮度的場發(fā)射電子槍，在低加速電壓下，也能夠?qū)ζ浔砻孢M(jìn)行高分辨的表征。因此，MIRA 非常適用于各類金屬加工行業(yè)的質(zhì)量控制實(shí)驗室。

MIRA 配置的高亮度場發(fā)射電子槍，可以提供高信噪比圖像，用戶在觀察亞微米級樣品時就會深切體驗到這一點(diǎn)。有很多樣品如增材制造、硬涂層、金屬復(fù)合材料、微夾雜物等觀察時都需要獲得高襯度形貌像，只有降低加速電壓時才能實(shí)現(xiàn)。TESCAN MIRA場發(fā)射電鏡使用的技術(shù)，在低加速電壓下也可以獲得高信噪比的圖像，并且可以使用樣品室內(nèi)二次電子探測器和鏡筒內(nèi)二次電子探測器獲得樣品的形貌像，使用樣品室背散射電子探測器和低能量高靈敏的鏡筒內(nèi)背散射電子探測器獲得樣品的成分像。如果一張高分辨的形貌和成分襯度圖像對于您的應(yīng)用過程評估和決策至關(guān)重要，那么鏡筒內(nèi)探測器會是您的SX.此外，TESCAN MIRA不再局限于只能成像，還可以通過集成的能譜分析功能(Essence™EDS)，用戶不再需要第三方硬件和軟件，只需通過熟悉的電鏡操作界面，完成材料的元素分析，輕松實(shí)現(xiàn)復(fù)合金屬、樣品均勻性表征甚至是材料失效分析

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TESCAN MIRA場發(fā)射掃描電鏡可以快速、穩(wěn)定且直觀地提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)，這些正是適合在金屬加工行業(yè)質(zhì)量控制、故障分析和研究實(shí)驗室中使用的分析儀器的重要特征。

對亞微米級顆粒、團(tuán)聚物和其它材料進(jìn)行高分辨率成像

TESCAN MIRA 是一款多功能的設(shè)備，可以對各種材料進(jìn)行表征。表征粉末樣品、微小的污染物、納米顆粒和其它微納米材料的尺寸和形貌觀測時，需要通過降低加速電壓來實(shí)現(xiàn)，因為降低加速電壓后能夠減少電子在樣品表面轟擊的體積。TESCAN MIRA 配備了高亮度場發(fā)射電子槍，在低于5keV下，安裝在樣品室中的二次電子探測器也可以獲得清晰的形貌像。由于使用了實(shí)時電子束追蹤技術(shù)和中間鏡技術(shù)，無需對鏡筒內(nèi)的機(jī)械光闌做任何調(diào)整，電子束就可以快速自動優(yōu)化，實(shí)時電子束追蹤技術(shù)還可以確保相對于束流獲得化的束斑尺寸。此外，TESCAN MIRA 提供可選的鏡筒內(nèi)二次電子探測器(In-Beam SE)，這個探測器適用于更短的工作距離可以在極低著陸能量的情況下獲得高分辨圖像，更有效地表征納米粉末和納米顆粒的亞微米細(xì)節(jié)和一些其它特征。此外，電子束減速技術(shù)(BDT)進(jìn)一步提升了低加速電壓下的分辨率，可以獲得更多的表面形貌細(xì)節(jié)。