小型鍍膜設備是為掃描電鏡和電子探針等進行試樣制備的設備,可進行真空蒸碳、真空鍍膜和離子濺射,它也可以在高純氬氣的保護之下進行多種離子處理。用本設備處理的試樣既可用于樣品的外貌觀察又可以進行成分分析,尤其是成分的定量分析更為適宜。本儀器配有機械泵、分子泵,分子泵系統特別適用于對真空度要求高、真空環境好的用戶選用。
1.MS450是一臺高真空磁控濺射鍍膜設備。
2.設備主要由真空室、濺射靶槍、濺射電源、加熱樣品臺、流量控制系統、真空獲得系統、真空測量系統、氣路系統、PLC+觸摸屏自動控制系統等組成。
3.該設備主機與控制一體化設計,操控方便;結構緊湊,占地面積小。
4.主要用途:
1. 開發納米級單層、多層及復合膜層等。
2. 制備金屬膜、合金膜、半導體膜、陶瓷膜及介質膜等,例:銀、鋁、 銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、氮化鈦、氮化鉻、ITO......
3. 兩靶單獨濺射、依次濺射、共同濺射。
5.應用領域:
1. 高校、科研院所的教學、科研實驗及生產型企業前期探索性實驗及開發新產品等。
2. 鈣鈦礦太陽能電池、OLED、OPV 太陽能電池等行業。
薄膜均勻性概念:
1、厚度上的均勻性,也可以理解為粗糙度,在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位,約為100A),真空鍍膜的均勻性已經相當好,可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內,也就是說對于薄膜的光學特性來說,真空鍍膜沒有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度,也就是說要實現10A甚至1A的表面平整。
2、化學組分上的均勻性: 就是說在薄膜中,化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻特性,SiTiO3薄膜,如果鍍膜過程不科學,那么實際表面的組分并不是SiTiO3,而可能是其他的比例,鍍的膜并非是想要的膜的化學成分,這也是真空鍍膜的技術含量所在。
3、晶格有序度的均勻性: 這決定了薄膜是單晶,多晶,非晶,是真空鍍膜技術中的熱點問題。