化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>工藝測(cè)量和檢測(cè)設(shè)備>晶圓缺陷光學(xué)檢測(cè)設(shè)備>HEP-MC8000 晶圓檢測(cè)機(jī)
HEP-MC8000 晶圓檢測(cè)機(jī)
- 公司名稱 武漢賽斯特精密儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) HEP-MC8000
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/10/10 18:51:48
- 訪問次數(shù) 275
晶圓檢測(cè)機(jī)價(jià)格晶圓檢測(cè)儀高精度晶圓測(cè)試儀晶圓缺陷檢測(cè)儀晶圓檢測(cè)儀價(jià)格
聯(lián)系方式:左斌斌15015569504 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
晶圓檢測(cè)機(jī)采用非接觸檢測(cè)系統(tǒng),對(duì)晶圓的平面度、厚度、粗糙度等進(jìn)行檢測(cè)并分類,并完成晶圓標(biāo)記及數(shù)據(jù)處理。
該設(shè)備產(chǎn)能:1片/分鐘。
該設(shè)備主要包含:
運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu):將晶圓放入工作臺(tái),通過高精度運(yùn)動(dòng)模組,移動(dòng)晶圓進(jìn)行掃描檢測(cè)。
檢測(cè)部分:集成相機(jī)、激光三維輪廓測(cè)量?jī)x、位移激光傳感器對(duì)晶圓的厚度、平面度、粗糙度等進(jìn)行全方面的檢測(cè)。
晶圓檢測(cè)機(jī)檢查內(nèi)容:
檢查項(xiàng)目 | 指 標(biāo) | 備 注 | |
表面缺陷檢查 | 崩邊(非立崩)、缺口 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率100% | 圖像灰度值差距>30;列出大小指標(biāo)是可檢能力,設(shè)置過小會(huì)存在誤判多的問題,因此設(shè)定參數(shù)需按實(shí)際生產(chǎn)需求設(shè)定 |
沾污 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率≥95% 誤檢率<0.5%(大小≥450um*450um情況下或?qū)嶋H生產(chǎn)需求設(shè)定的指標(biāo)) | ||
劃傷 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率>95%(大小≥170um*450um情況下或?qū)嶋H生產(chǎn)需求設(shè)定的指標(biāo)) 劃傷淺易漏檢 | ||
3D檢測(cè) | 厚度 | 檢測(cè)精度分辨率+/-0.25um 測(cè)量重復(fù)性:≤±1μm GR&R<10% | 最大、最小、平均值 |
TTV | 測(cè)量精度+/-2um GR&R<10% | TTV整條線 | |
翹曲、變形 | 測(cè)量精度+/-2um GR&R<20% | 最大值 | |
平面度 | +/-0.5um | 偏差值 | |
粗糙度 | 計(jì)算值 | ||
處理能力 | 檢測(cè)周期 | 60s/片 |
相關(guān)分類
該廠商的其他產(chǎn)品
- Sneox 高精度晶圓測(cè)試儀晶圓厚度測(cè)量?jī)x
- ITC57300 MOS管半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
- ITC57300分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
- ITC57300 MOS管 半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
- ITC57300 MOS管 半導(dǎo)體功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
- 自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)AOI
- DAGE4000 Optima 芯片推拉力剪切力測(cè)試儀
- 原子力顯微鏡