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化工儀器網>產品展廳>光學儀器及設備>光學測量儀>折光儀(折射儀) >DR-M4 ATAGO愛拓半導體光刻膠折射率阿貝折光儀

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DR-M4 ATAGO愛拓半導體光刻膠折射率阿貝折光儀

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ATAGO(愛拓)源自日本,成立于1940年,總部設在日本東京,80年來一直致力于研究與開發多樣化、應用廣泛的光電檢測儀器。其主要產品為折光儀、旋光儀及基于折射原理測定各種物質濃度的衍生產品濃度計,多年來已為各行各業提供了多樣化的產品濃度檢測方案。


主要銷售:折射儀、折光儀、旋光儀、糖度計、濃度計、鹽度計、粘度計、食用油品檢測儀、二氧化碳糖度檢測儀等多種物質的濃度檢測儀。


ATAGO(愛拓)產品的應用涵蓋從食品飲料,果蔬種植,制糖行業,日用化工,生物制藥,金屬加工,工業制造到石油化工等多種領域。品質可靠,耐用性好,獲得來自150多個國家和地區客戶的信任與肯定!








自動旋光儀,阿貝折光儀,全自動折光儀,手持式糖度計,手持式折射計,折射計,糖度計,旋光儀,鹽度計,在線折光儀

產地類別 進口 產品種類 臺式
價格區間 面議 數顯功能
溫控功能 應用領域 食品,化工,綜合

光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括:光引發劑(包括光增感劑、光致產酸劑)、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應,經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩(掩模版)轉移到待加工基片上。依據使用場景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。


在平板顯示行業:主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產環節中,光刻膠涂覆于晶體薄膜表面,經曝光、顯影和蝕刻等工序將光罩(掩膜版)上的圖形轉移到薄膜上,形成與掩膜版對應的幾何圖形。


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PCB行業:主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上,進行曝光顯影;濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上,待其干燥后進行曝光顯影。干膜與濕膜各有優勢,總體來說濕膜光刻膠分辨率高于干膜,價格更低廉,正在對干膜光刻膠的部分市場進行替代。

在半導體集成電路制造行業:主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規模集成電路的制造過程中,一般要對硅片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中,光刻膠都要通過預烘、涂膠、前烘、對準、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環節,將光罩(掩膜版)上的圖形轉移到硅片上。


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光刻膠是集成電路制造的重要材料:光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%~50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。

按顯示效果分類,光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩(掩膜版)相反;正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產工藝流程基本一致,區別在于主要原材料不同。
按照化學結構分類;光刻膠可以分為光聚合型,光分解型,光交聯型和化學放大型。光聚合型光刻膠采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進一步引發單體聚合,最后生成聚合物。

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光分解型光刻膠,采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,其經光照后,發生光分解反應,可以制成正性光刻膠;

在半導體集成電路光刻技術開始使用深紫外(DUV)光源以后,化學放大(CAR)技術逐漸成為行業應用的主流。在化學放大光刻膠技術中,樹脂是具有化學基團保護因而難以溶解的聚乙烯。化學放大光刻膠使用光致酸劑(PAG)作為光引發劑。


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按照曝光波長分類,光刻膠可分為紫外光刻膠(300~450nm)、深紫外光刻膠(160~280nm)、極紫外光刻膠(EUV,13.5nm)、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠,其適用的光刻極限分辨率不同。通常來說,在使用工藝方法一致的情況下,波長越短,加工分辨率越佳。


可測量不同波長下的折射率與阿貝數值,數字顯示,準確清晰,活動光源,可定做濾光片,對薄膜的XYZ軸有特殊方法檢測!


ATAGO愛拓半導體光刻膠折射率阿貝折光儀 DR-M2/M4(最大1,100nm,可在波長4501,100nm范圍內,使用不同的波長測量折射率(nD)和阿貝數值。測量結果通過調整分界線至十字交叉點確定,測量結果在LCD顯示屏以數字形式顯示,與傳統型阿貝折射儀相比,讀數更快速更清晰。尤其適合高精度測量眼鏡片等聚酯材質的折射率。


ATAGO愛拓半導體光刻膠折射率阿貝折光儀,廣泛用于測量:濃縮果汁、香精香料、工業溶液、化工材料、光學玻璃、塑料薄膜、各種新型材料及某些固體物質的折射率(nD)Brix值。





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