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6MBI60FA-060 FUJITSU富士通芯片存儲(chǔ)器庫(kù)存大量甩賣(mài)
- 公司名稱 上海菱聯(lián)自動(dòng)化控制技術(shù)有限公司
- 品牌 FUJITSU/富士通
- 型號(hào) 6MBI60FA-060
- 產(chǎn)地 日本
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
- 更新時(shí)間 2024/7/8 21:00:05
- 訪問(wèn)次數(shù) 902
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上海菱聯(lián)自動(dòng)化控制技術(shù)有限公司是一家專注于工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品銷(xiāo)售及其工程設(shè)計(jì)的科技企業(yè),公司下設(shè)技術(shù)研發(fā)部,市場(chǎng)銷(xiāo)售部,商務(wù)物流部,財(cái)務(wù)部等專職部門(mén),公司專業(yè)經(jīng)營(yíng)伺服電機(jī)、運(yùn)動(dòng)控制器、變頻器、PLC、傳感器、觸摸屏、減速機(jī)、電磁閥、編碼器、小馬達(dá)、張力糾偏控制等產(chǎn)品,因良好的技術(shù)支持和服務(wù),在華東地區(qū)取得了較大的度。
品牌 | FUJITSU | 型號(hào) | 6MBI60FA-060 |
---|---|---|---|
產(chǎn)地 | 日本 | 庫(kù)存數(shù)量 | 108825片 |
單位 | 片 | 發(fā)貨方法 | 快遞 |
參數(shù) | 詳見(jiàn)說(shuō)明書(shū) | 工作環(huán)境溫度范圍 | -40°C至+125°C |
FUJITSU富士通芯片存儲(chǔ)器庫(kù)存大量甩賣(mài)6MBI60FA-060 我們的優(yōu)勢(shì):存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一,已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場(chǎng)。隨著萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代的到來(lái),
人工智能、智能汽車(chē)等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求,促使新型存儲(chǔ)器迅速發(fā)展,影響未來(lái)存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局。目前,
新型存儲(chǔ)器主要有4種:相變存儲(chǔ)器(PCM),鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性存儲(chǔ)器(MRAM)和阻變存儲(chǔ)器(ReRAM)。
其中,F(xiàn)eRAM是一種理想的存儲(chǔ)器,在計(jì)算機(jī)、航天航空、軍工等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,世界上許多大的半導(dǎo)體公司對(duì)此都十分重視。
代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 108MHz 的工
作頻率下實(shí)現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率,并具有四個(gè) I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。本產(chǎn)品具有高速運(yùn)算和非易失性的特點(diǎn),
非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫(xiě)的可編程邏輯控制器(PLC)和路由器等工業(yè)計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
20 多年來(lái),富士通半導(dǎo)體已量產(chǎn)的 FeRAM 產(chǎn)品,與 EEPROM 和閃存相比,具有更高的讀寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。到目前為止,這些高可靠性產(chǎn)品已成功應(yīng)用于工業(yè)、基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)和汽車(chē)領(lǐng)域。
FUJITSU富士通芯片存儲(chǔ)器庫(kù)存大量甩賣(mài)6MBI60FA-060 提供各產(chǎn)品信息服務(wù):此外,一些客戶一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存儲(chǔ)器的同時(shí)進(jìn)行快速數(shù)據(jù)傳輸。我們很高興能夠通過(guò) Quad SPI 4Mbit FeRAM 產(chǎn)品滿足這一要求。
MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V電源電壓,在108MHz工作頻率下數(shù)據(jù)傳輸速率為54MB/s。在此產(chǎn)品發(fā)布之前,
具有 16 個(gè) I/O 引腳的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM,具有 13MB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度。然而,MB85RQ4ML
只有四個(gè) I/O 管腳,讀寫(xiě)數(shù)據(jù)大約是并行接口 FeRAM 的 4 倍(圖3)。 其封裝為 16pin SOP,封裝尺寸為 7.5mm x 10.3mm。
數(shù)據(jù)傳輸率比較
如果您在產(chǎn)品中使用閃存、EEPROM 或低功耗 SRAM,并且遇到以下任何問(wèn)題,請(qǐng)考慮使用富士通半導(dǎo)體的 FeRAM 解決方案。
狀態(tài):使用閃存 問(wèn)題:由于寫(xiě)入耐久性較低,軟件開(kāi)發(fā)負(fù)擔(dān)較大
閃存保證幾十萬(wàn)次的寫(xiě)周期。如果數(shù)據(jù)被多次寫(xiě)入內(nèi)存中的同一區(qū)域,該區(qū)域很快就會(huì)達(dá)到保證寫(xiě)入周期時(shí)間的上限。
因此,設(shè)計(jì)工程師必須開(kāi)發(fā)一種名為“wear leveling”的軟件來(lái)分配內(nèi)存區(qū)域中的寫(xiě)入位置,以使數(shù)據(jù)不會(huì)多次寫(xiě)入同一位置。
軟件開(kāi)發(fā)的工作量對(duì)設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常大的負(fù)擔(dān)。而 FeRAM 保證 10 萬(wàn)億次讀/寫(xiě)周期,并且數(shù)據(jù)可以像低功耗 SRAM 一樣被覆蓋到內(nèi)存區(qū)域。
這些功能有助于設(shè)計(jì)工程師,因?yàn)楣こ處煵恍枰_(kāi)發(fā)復(fù)雜的數(shù)據(jù)寫(xiě)入軟件,例如磨損均衡
磨損均衡示意圖
狀態(tài):使用 EEPROM 問(wèn)題:數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)間較長(zhǎng)
EEPROM 即使是 8 位數(shù)據(jù)寫(xiě)入也有 5ms 的寫(xiě)入周期時(shí)間,因?yàn)樗藢?xiě)入操作之外還包括擦除操作。另一方面,F(xiàn)eRAM 具有較短的寫(xiě)入時(shí)間,例如在 8 位數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)為數(shù)百納秒,因?yàn)樗恍枰脸僮鳎▓D5)。此外,帶有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作頻率下具有 2.5Mbyte/s 的數(shù)據(jù)傳輸率。而富士通半導(dǎo)體的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s,是 EEPROM 的 20 倍以上。
寫(xiě)入時(shí)間比較
狀態(tài):使用 SRAM 問(wèn)題:難以取出電池并減少組件安裝面積
低功耗 SRAM 需要電池來(lái)保存數(shù)據(jù)以保存寫(xiě)入的數(shù)據(jù),但由于非易失性存儲(chǔ)器,F(xiàn)eRAM 不需要電池。然后,由于 SRAM 有 16 個(gè) I/O 引腳,許多 SRAM 采用 44pin TSOP 封裝形式,但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封裝,具有 4 個(gè) I/O 引腳。這意味著,如果您將 SRAM 替換為 FeRAM,您可以通過(guò)移除電池并使用更小的封裝來(lái)減少 77% 的內(nèi)存安裝面積
MB96345YSAPMC-GSE2
CY91F465PAPMC-GS-UJE2
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MB96345YWAPMC-GSE2
MB96345YWAPQC-GSE2
MB39A116
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3MBI50SX-120-02
D5CF-881M50-D1F1-V
MB89255A/B
6MBP150RTS120
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6MBP25RC120
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MB85RQ8MLX
MB85RS4MTY
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MB85RS4MT
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MB85RS1MT
MB85RS1MT
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MB85RS256TY
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MB85RS128TY
MB85RS128B
MB85RS64VY
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MB85RS64T--
MB85RS64V
MB85RS64
MB85RS16
MB85RS16N
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MB85RC256V
MB85RC128A
MB85RC64TA
MB85RC64A
MB85RC64V
MB85RC16
MB85RC16V
MB85RC04
MB85RC04V
MB85R8M1TA
MB85R8M2TA
MB85R8M2T
MB85R4M2T
MB85R4001A
MB85R4002A
MB85R1001A
MB85R1002A
MB85R256F
MB85AS12MT
MB85AS8MT
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