臺階高度

Zeta-388可以提供納米級到毫米級的3D非接觸式臺階高度測量。ZDot和Multi-Mode（多模式）光學器件提供了一系列測量臺階高度的方法。主要的測量技術是ZDot，可以快速測量從幾十納米到幾毫米的臺階高度。ZXI干涉測量技術可以在大范圍面積上對臺階高度進行納米級到毫米級的測量。ZSI剪切干涉測量技術可用于測量小于80nm的臺階高度。

薄膜厚度

Zeta-388可以利用ZDot或ZFT測量技術對透明薄膜進行厚度測量。ZDot適用于測量大于10μm的透明薄膜，例如在折射率較高的基板上涂覆的光阻或微流體器件層。ZFT則采用集成寬帶反射儀適用于測量30nm至100μm的薄膜。 這既適用于單層薄膜也適用于多層薄膜堆疊，用戶可以輸入薄膜屬性或者采用模型針對色譜進行匹配。

紋理：粗糙度和波紋度

Zeta-388可以對3D紋理進行測量，并對樣品的粗糙度和波紋度進行量化。ZDot可測量從幾十納米到非常粗糙表面的粗糙度。ZSI和干涉測量技術可以測量從埃級到微米級的光滑表面。軟件過濾功能將測量值分離為粗糙度和波紋度部分，并計算諸如均方根（RMS）粗糙度之類的參數。Nomarski干涉對比度顯微鏡可以通過發現斜率的微小變化對非常精細的表面細節進行可視化。

外形：翹曲和形狀

Zeta-388可以測量表面的2D和3D的形狀或翹曲。這包括對晶圓翹曲的測量，例如半導體或化合物半導體器件生產中的多層沉積期間由于層與層的不匹配是導致這種翹曲的原因。Zeta-388還可以量化包括透鏡在內的結構高度和曲率半徑。

應力：薄膜應力

Zeta-388能夠測量在生產過程中，包含多個工藝層的半導體或化合物半導體等器件期間所產生的應力。 使用應力卡盤將樣品支撐在中性位置并精確測量樣品翹曲。然后通過應用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來計算應力。 Zeta-388采用用戶定義的間隔，并沿著樣品直徑采集樣品表面的高度，然后將數據匯總并繪制樣品形狀輪廓，并以此測量2D應力。

自動缺陷檢查

Zeta-388的自動光學檢測（AOI）功能可以快速檢測樣品、區分不同的缺陷類型，并繪制樣品的缺陷密度分布。Zeta-388結合了3D測量功能，可以提供2D檢測系統無法獲得的缺陷信息，從而可以更快找到缺陷根源。

缺陷復檢

Zeta-388的缺陷復查功能采用檢測設備的KLARF文件，并將平臺移動到缺陷位置。 用戶可以使用高質量的顯微鏡對缺陷進行檢測或者對其高度、厚度或紋理等形貌進行測量。 這提供了2D缺陷檢測系統無法獲得的額外的缺陷細節。 Zeta-388還可以對缺陷做劃線標記，從而更容易在如SEM復檢設備等視野有限的設備中找到這些缺陷。

LED圖案化藍寶石基板（PSS)

Zeta-388光學輪廓儀可以對圖案化藍寶石基板進行量測和檢測。該系統結合了ZDot功能、樣品透射照明和自定義算法，可快速量化PSS凸塊的高度、寬度和間距。Zeta-388還可在圖案化前后用于測量光刻膠，讓藍寶石在蝕刻之前能夠進行樣品返工。PSS基板的自動缺陷檢測可以快速識別關鍵缺陷，例如PSS凸塊缺失、凸塊橋接、撕裂和污染。Zeta-388還配有一個自動晶圓機械傳送系統，以減少人為干預和手動樣品傳送所引起的污染。

半導體和復合半導體封裝

Zeta-388支持晶圓級芯片級封裝（WLCSP）和扇出晶圓級封裝（FOWLP）的量測要求。關鍵的應用技術是該系統能夠在干光刻膠薄膜完好無損的情況下對鍍銅的高度做出測量。這是透過透明的光刻膠對種子層進行測量，通過測量銅柱的高度、光刻膠的厚度以及銅柱和光刻膠的相對高度差來實現的。其他應用包括再分布線（RDL），凸塊下金屬化（UBM）高度和紋理、光刻膠開口關鍵尺寸（CD）、光刻膠厚度和聚酰亞胺厚度的測量。 還可以測量金屬觸點的共面性以確定凸塊高度是否滿足最 終的器件封裝連接要求。

激光燒蝕

Zeta-388可以測量在激光表面處理后對半導體、LED、微流體器件、PCB等引起的形貌變化。激光已在半導體、LED和生物醫學設備等行業中被用于精密尺度微加工和表面處理。對于半導體工業，測量晶圓ID標記的高度和寬度至關重要，這確保其在多個不同的工藝步驟中可以被成功讀取。

微流體

Zeta-388能夠測量由硅、玻璃和高分子等材料制成的微流體裝置。該系統可以對通道、井和控制結構的高度、寬度、邊緣輪廓和紋理進行量化。Zeta-388還可以在透明頂蓋板密封后對最 終設備進行測量 – 對折射率的變化進行補償并且對使用蓋板引起的的應力變化進行量化。

生物技術

Zeta-388非常適用于生物技術應用，可以針對各種樣品表面的納米級到毫米級特征為其提供非接觸式測量。Zeta-388可以用于測量生物技術設備中的深井深度之類的高縱橫比臺階。此外，利用其高數值孔徑物鏡和分辨反射率極低樣品的能力，該系統還可以測量藥物輸送的微針陣列結構。