化學氣相沉積LPCVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。

　　設備結構及特點

　　1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本

　　兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

　　基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

　　基片形狀類型：不規則形狀的散片、φ2～4英寸標準基片。

　　2、設備為水平管臥式結構

　　由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。

　　反應室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了*的檢測和控制系統，量值準確，性能穩定、可靠。

　　設備主要技術指標

　　化學氣相沉積LPCVD-生產型

　　設備功能

　　該設備是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

　　可提供相關鍍膜工藝。

　　設備結構及特點：

　　設備為水平管臥式結構，由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。

　　反應室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用;

　　整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理，實現爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數進行監測和自動控制。也可以手動控制。

　　設備主要技術指標

　　LPCVD軟件控制界面

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