| 品牌 | 牛津儀器 |
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Oxford RIE反應離子刻蝕機PlasmaPro 80
PlasmaPro 80是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。
● 直開式設計允許快速裝卸晶圓
● 出色的刻蝕控制和速率測定
● 出色的晶圓溫度均勻性
● 晶圓最大可達200mm
● 購置成本低
● 符合半導體行業 S2 / S8標準
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應 用 ● III-V族材料刻蝕工藝 ● 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝 ● 類金剛石（DLC）沉積 ● 二氧化硅和石英刻蝕 ● 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓 ● 用于高亮度LED生產的硬掩模的刻蝕
系統特點 ● 小型系統 —— 易于安置 ● 優化的電極冷卻系統 —— 襯底溫度控制 ● 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構 —— 確保能提升工藝均勻性和速率 ● 增加<500毫秒的數據記錄功能—— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄 ● 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達到所要求的低真空度 ● 關鍵部件容易觸及 ——系統維護變得直接簡單 ● X20控制系統——大幅提高了數據信息處理能力， 并且可以實現更快更可重復的匹配 ● 通過前端軟件進行設備故障診斷 —— 故障診斷速度快 ● 用干涉法進行激光終點監測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法來確定非透明材料（如金屬）的邊界 ● 用發射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監測 —— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監測 |
RIE of InP waveguide | |
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7 µm polyimide feature RIE | ||
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Sub µm Si mesa etch | ||
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Deep Si feature etch by ICP-RIE cryo process |
Failure analysis - fast metal layer exposure in the PlasmaPro FA ICP | |
新增: PTIQ軟件
PTIQ是針對PlasmaPro和Ionfab工藝系統而開發的最新智能軟件解決方案。
● 對響應系統出色的控制水平
● 最da化系統性能與工藝性能
● 多級別軟件配置以匹配用戶需求
● 全新的視覺布局與設計界面
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