設備主要規格(Features):
1.全自動操作模式;
2.Robot取放片;
3.適應于 6英寸-8英寸 Wafer;
4..冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃;
5.MFC控制,3-5路制程氣體;
6.SEMI認證。
設備主要工藝應用(Application):
快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN);
離子注入/接觸退火;
高溫退火;
高溫擴散。
金屬合金;
熱氧化處理;
設備主要應用領域(Field):
化合物半導體(砷化鎵、氮化物、碳化硅等);
多晶硅;
太陽能電池片;
MEMS;
功率器件;
IC晶圓;
LED晶圓。
RTA:Rapid Thermal Annealing 快速熱退火。
RTO:Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化,主要用于生長薄絕緣層。
RTN:Rapid Thermal Nitridation 快速熱氮化。