我們的優(yōu)勢(shì)

更多關(guān)鍵信息

傾轉(zhuǎn)角度≥±75°，通過一系列不同傾斜角可獲得更多二維成像信息。

優(yōu)異的電學(xué)性能

1．采用模擬校驗(yàn)設(shè)計(jì)的芯片電極，電場(chǎng)分布均勻、電位穩(wěn)定，芯片表面的保護(hù)性涂層保證電學(xué)測(cè)量的低噪音和精確性，電流測(cè)量精度可達(dá)皮安級(jí)。

2．MEMS微加工特殊設(shè)計(jì)，在加熱過程中可同時(shí)進(jìn)行電學(xué)試驗(yàn)和表征，不影響溫度穩(wěn)定性。

優(yōu)異的熱學(xué)性能

1．高精密紅外測(cè)溫校正，微米級(jí)高分辨熱場(chǎng)測(cè)量及校準(zhǔn)，確保溫度的準(zhǔn)確性。

2．四電極的超高頻控溫方式，排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響，測(cè)量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。

3．采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系，加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測(cè)區(qū)域，升溫降溫速度快，熱場(chǎng)穩(wěn)定且均勻，穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.01℃。

4．采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01 ℃。

5．多級(jí)復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計(jì)，控制加熱過程熱擴(kuò)散，極大抑制升溫過程的熱漂移，確保實(shí)驗(yàn)的高效觀察。

6．加熱絲外部由氮化硅包覆，不與樣品發(fā)生反應(yīng)，確保實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性。

智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備

1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件，程序自動(dòng)化控制傾轉(zhuǎn)角度。

2．自定義程序升溫曲線。可定義10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等，同時(shí)可手動(dòng)控制目標(biāo)溫度及時(shí)間，在程序升溫過程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫，可即時(shí)調(diào)整實(shí)驗(yàn)方案，提升實(shí)驗(yàn)效率。

3．內(nèi)置絕對(duì)溫標(biāo)校準(zhǔn)程序，每塊芯片的每次控溫都能根據(jù)電阻阻值變化，重新進(jìn)行曲線擬合和校正，確保測(cè)量溫度精確性，保證高溫實(shí)驗(yàn)的重現(xiàn)性及可靠性。

4．全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實(shí)驗(yàn)效率。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用案例

Ag2Te基熱電材料隨電壓變化情況

0.4v電壓Ag2Te基熱電材料高分辨