美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構。 與動物模型和 2D 細胞培養物相比，它們可用作在更接近人體的環境中研究神經和神經退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

傳統到的商業微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經信號。

 3D 微電極陣列為球形類器官創建一個更貼近自然地環境，以模擬健康和疾病狀態的大腦功能。 這項新技術將推動創傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關癡呆癥、慢性創傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

靈活的細胞力－電環境：

牽張刺激牽張耦合電刺激記錄、電刺激記錄分析耗材、配件

可牽張多通道微電極特性：

．柔性， 可拉伸， 軟(Flexible, Stretchable and Soft)

．記錄和剌激電生理活動(Recording and Stimulation of Electrophysiological Activity)

．機城力方面強大：拉伸， 彎曲， 扭曲（Mechanically robust: stretch, bend, twist)

微裂紋金膜提供了理想的性能組合：

．低電阻(low electrical impedance)

．彈性可拉伸(elastically stretchable)

．低彈性模量(low elastic modulus)

．低疲勞(low fatigue)

細胞、 組織拉伸模塊：對細胞進行牽張刺激加載

＊支持雙軸和單軸拉伸兩種模式

＊可快速沖擊損傷拉伸或周期性拉伸

＊連續可調的牽張率和頻率

＊可以偶聯成像和電生理模塊

＊實時生成應變曲線（徑向，線性， 自定義）

＊自定義應變場

＊應變速率高達80 Is ＊高達so％的應變＊任何拉伸圖案

＊高重復性

＊在培養箱中使用