全新 M6

— — 飛行時間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）*科技

M6 是 IONTOF 在 TOFSIMS 5 基礎(chǔ)上開發(fā)的新一代飛行時間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）儀器，對一次離子源（LMIG）和質(zhì)量分析器（TOF Analyser）進行了突破性的改進。

此外，在硬件方面還增加了 MS/MS 功能選項，重新設(shè)計了加熱和冷卻系統(tǒng)；在軟件方面新增了多元統(tǒng)計分析（MVSA）軟件包。其設(shè)計保證了 SIMS 應(yīng)用在所有領(lǐng)域的應(yīng)用性能。

新的突破性離子束和質(zhì)量分析器技術(shù)使 M6 成為二次離子質(zhì)譜（SIMS）儀器中的耀眼光芒、工業(yè)和學(xué)術(shù)研究的理想工具。

       全新 M6 具有以下突出優(yōu)勢：

1      新型 Nanoprobe 50 具有高橫向分辨率 (< 50 nm)

2      質(zhì)量分辨率 > 30,000

3      *的延遲提取模式可同時實現(xiàn)高傳輸，高橫向質(zhì)量

4      廣域的動態(tài)范圍和檢測限

5      用于闡明分子結(jié)構(gòu)具有 CID 片段功能的 TOF MS/MS

6      *智能的 SurfaceLab 7 軟件，包括*集成的多元統(tǒng)計分析 (MVSA) 軟件包

7      新型靈活按鈕式閉環(huán)樣品加熱和冷卻系統(tǒng)，可長期無人值守運行

Nanoprobe 50 — — 全新 M6 的突破性離子束技術(shù)

       Nanoprobe 50 是新一代 M6 的鉍離子團簇離子源（LMIG）。

       該源可提供高達(dá) 40 nA 的 DC 電流和高達(dá) 40 pA 的脈沖一次離子電流（脈沖一次離子電流是 TOF.SIMS 5 的 2 倍 ），保證 50 nm 的高橫向分辨率和提高兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率。

  其新的雙極集束系統(tǒng)可以以高達(dá) 50 kHz 的重復(fù)頻率運行，從而允許*的數(shù)據(jù)速率和改善的檢測極限，使質(zhì)譜性能和操作便捷性都更上一層樓。

  其快速成像模式下的性能優(yōu)于 90 nm @ 350 pA，束流密度比上一代的 TOF.SIMS 5 提高接近 2 倍。

  Nanoprobe 50 是用于高橫向分辨率顯微分析和成像以及高質(zhì)量分辨率表面質(zhì)譜分析和深度剖析的理想一次離子源。

全新 M6 TOF Analyser（質(zhì)量分析器）

相比于其他類型的質(zhì)量分析器，傳輸率、質(zhì)量分辨率和質(zhì)量精度是飛行時間質(zhì)量分析器最重要的優(yōu)勢性能。

M6 的反射型飛行時間質(zhì)量分析器具有高傳輸率和高質(zhì)量分辨率的特點，不論在 SIMS 正譜還是 SIMS 負(fù)譜應(yīng)用中，兩種高性能都是同時實現(xiàn)的。此外，可達(dá)到的足夠高的質(zhì)量精度是實現(xiàn)清晰峰鑒定的重要前提。M6 的飛行時間質(zhì)量分析器具有線性質(zhì)量標(biāo)度，可提供優(yōu)于 10 ppm 的質(zhì)量精度。

相對于 TOF.SIMS 5 的 TOF Analyser 而言，M6 的 TOF Analyser 采用了全新的提取光學(xué)器件設(shè)計，可通過切換提取光學(xué)器件的工作模式實現(xiàn)更高的傳輸率和成像景深，非常適合進行樣品臺掃描成像；改進了二次離子傳輸系統(tǒng)，二次離子的傳輸能量高達(dá) 6 keV，提高了靈敏度并極大改善了 Delayed Extraction 模式下的性能；拓展了二次離子的飛行路徑，從 2 m 增加到 3 m，全新 M6 的質(zhì)量分辨率可達(dá)到 30,000（FWHM）；還進一步提高了二次離子檢測系統(tǒng)的靈敏度和檢測效率。并且 M6 的 TOF Analyser 依然兼容現(xiàn)有的EDR 技術(shù)和 Hybrid SIMS 功能選項。

提取光學(xué)系統(tǒng)和檢測系統(tǒng)的革新性設(shè)計使傳輸率提高了三倍。結(jié)合高重復(fù)率和經(jīng)過改進的 Nanoprobe 50 的一次離子電流，在雙束深度剖析中的檢測限也提高了三倍。新的開發(fā)還使成像速度提高了三倍，曾經(jīng)耗時的圖像采集如今只需要幾分鐘。

全新 M6 加熱和冷卻系統(tǒng)（Heating & Cooling）

為了將飛行時間二次離子質(zhì)譜（TOFSIMS）的分析應(yīng)用拓展到如揮發(fā)性化合物等組分會隨溫度變化而變化的材料，可以在進樣室或分析室安裝加熱和冷卻系統(tǒng)。

        由計算機編程控制溫度和分析程序，為測定隨溫度變化而變化的成分而給出成分的溫度分布提供了途徑（也就是所謂的溫度分布 SIMS ），還可以在選定的溫度下進行分析、測定材料發(fā)生相變或轉(zhuǎn)變的溫度，還可以分析溫敏材料。

        全新 M6 的 Heating & Cooling 是 IONTOF 在 TOF SIMS 5 Heating & Cooling 的基礎(chǔ)上重新設(shè)計的全新加熱和冷卻系統(tǒng)，特別是在加熱和冷卻樣品托、冷卻系統(tǒng)方面。