PHI 710 掃描俄歇納米探針
- 公司名稱 高德英特(北京)科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) PHI 710
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2022/3/7 11:11:44
- 訪問(wèn)次數(shù) 798
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,地礦,能源,電子,綜合 |
特點(diǎn)
SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
在俄歇能譜的采集分析過(guò)程中,包括譜圖,深度剖析及元素分布成像,首先需要在SEM圖像上定義樣品分析區(qū)域,同時(shí)要求束斑直徑小且穩(wěn)定。PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm,AES的空間分辨率小于8 nm(@ 20 kV, 1 nA),如下圖所示。
圖1 Si基底上的Au的SEM圖像,PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm
圖2鑄鐵韌性斷裂的界面分析,左邊是SEM圖像,中間是鈣,鎂,鈦的俄歇成像譜圖疊加,右邊則是硫的俄歇成像,這充分證明了PHI 710在納米級(jí)的尺度下的化學(xué)態(tài)的分析能力。
同軸筒鏡分析器(CMA)
PHI 公司電子槍和同軸筒鏡分析器同軸的幾何設(shè)計(jì),具有靈敏度高和各個(gè)角度均可收集信號(hào)的特點(diǎn),滿足了表面粗糙不平整樣品對(duì)俄歇分析全面表征能力的需求。如上圖所示,所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個(gè)方向收集而來(lái),成像沒(méi)有陰影。若設(shè)備配備的不是同軸分析器,則儀器的靈敏度會(huì)降低,并且成像有陰影,一些分析區(qū)域會(huì)由于位置的原因,而無(wú)法分析。如果想要得到高靈敏度,只能分析正對(duì)著分析器的區(qū)域。如下圖所示,若需要對(duì)顆粒的背面,顆粒與顆粒之間的區(qū)域分析,圖像會(huì)有陰影。
俄歇能譜儀的化學(xué)態(tài)成像
圖譜成像
PHI 710能從俄歇成像分析的每個(gè)像素點(diǎn)中提取出譜圖的相關(guān)信息,該功能可以實(shí)現(xiàn)化學(xué)態(tài)成像。
高能量分辨率俄歇成分像
下圖是半導(dǎo)體芯片測(cè)試分析,測(cè)試的元素是Si。通過(guò)對(duì)Si的俄歇影像進(jìn)行線性最小二乘法擬合(LLS),俄歇譜圖很清楚的反映出了三個(gè)Si的不同化學(xué)態(tài)的區(qū)域,分別是:?jiǎn)钨|(zhì)硅,氮氧化硅和金屬硅,并且可以從中分別提取出對(duì)應(yīng)的Si的俄歇譜圖,如最下方三張圖所示。
納米級(jí)的薄膜分析
如下圖SEM圖像中所示,以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷,這是由于退火后,在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設(shè)置了一個(gè)分析點(diǎn),分析條件為高能量分辨率模式下(0.1%),電子束直徑20 nm,離子槍采用0.5 kV設(shè)定,如下圖所示,在MultiPak軟件中,采取最小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物,同樣區(qū)分金屬硅和硅化物。可以看出,硅鎳化合物僅存在于界面處,而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是,在鎳涂層的缺陷處,發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物。
PHI SmartSoft-AES用戶界面
PHI SmartSoft是一個(gè)方便使用的儀器操作軟件。軟件通過(guò)任務(wù)導(dǎo)向和卷標(biāo)橫跨頂部的顯示指導(dǎo)用戶輸入樣品,定義分析點(diǎn),并設(shè)定分析。一個(gè)強(qiáng)大的“自動(dòng)Z軸定位”功能可定義多個(gè)分析點(diǎn)并達(dá)到最.理想的樣品分析定位。簡(jiǎn)潔明了的界面設(shè)計(jì)以及軟件功能設(shè)置能夠讓操作者快速上手,方便設(shè)置,保存和調(diào)取分析參數(shù)。
PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件
MultiPak軟件擁有*的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫(kù)。采譜分析,線掃描分析,成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來(lái)處理。它強(qiáng)大的功能包括峰的定位,化學(xué)態(tài)信息及檢測(cè)限的提取,定量測(cè)試和圖像的增強(qiáng)等。
選配件
真空室內(nèi)原位樣品放置臺(tái)
原位斷裂
真空傳送管
預(yù)抽室導(dǎo)航相機(jī)
電子能量色散探測(cè)器(EDS)
電子背散射衍射探測(cè)器(EBSD)
背散射電子探測(cè)器(BSE)
聚焦離子束(FIB)
應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體組件: 缺陷分析、刻蝕/清潔殘余物分析、短路問(wèn)題分析、接觸污染物分析、接口擴(kuò)散現(xiàn)象分析、封裝問(wèn)題分析等、FIB組件分析
顯示器組件: 缺陷分析、刻蝕/清潔殘余物分析、短路問(wèn)題分析、接觸污染物分析、接口擴(kuò)散現(xiàn)象分析等
磁性儲(chǔ)存組件: 定義層、表面元素、接口擴(kuò)散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁頭缺陷分析、殘余物分析等
玻璃及陶瓷材料: 表面沉積物分析、清潔污染物分析、晶界分析等