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等離子去膠

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等離子去膠

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岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面簡(jiǎn)稱岱美)成立于1989年,是一間擁有多年經(jīng)驗(yàn)的高科技設(shè)備分銷商,主要為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、半導(dǎo)體、光通訊、高校及研發(fā)中心提供各類測(cè)量設(shè)備、工序設(shè)備以及相應(yīng)的技術(shù)支持,并與一些重要的客戶建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系。自1989年創(chuàng)立至今,岱美的產(chǎn)品以及各類服務(wù)、解決方案廣泛地運(yùn)用于中國(guó)香港,中國(guó)大陸(上海、東莞、北京),中國(guó)臺(tái)灣,泰國(guó),菲律賓,馬來西亞,越南及新加坡等地區(qū)。


岱美在中國(guó)大陸地區(qū)主要銷售或提供技術(shù)支持的產(chǎn)品:

晶圓鍵合機(jī)、納米壓印設(shè)備、紫外光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、硅片清洗機(jī)、超薄晶圓處理設(shè)備、光學(xué)三維輪廓儀、硅穿孔TSV量測(cè)、非接觸式光學(xué)三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x、薄膜厚度檢測(cè)儀、主動(dòng)及被動(dòng)式防震臺(tái)系統(tǒng)、應(yīng)力檢測(cè)儀、電容式位移傳感器、定心儀等。


岱美重要合作伙伴包括有:

Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,

n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...


如有需要,請(qǐng)聯(lián)系我們,了解我們?nèi)绾伍_始與您之間的合作,實(shí)現(xiàn)您的企業(yè)或者組織機(jī)構(gòu)長(zhǎng)期發(fā)展的目標(biāo)。




膜厚儀,輪廓儀,EVG鍵合機(jī),EVG光刻機(jī),HERZ隔震臺(tái),Microsense電容式位移傳感器

產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,綜合
一、定義與原理
定義:等離子去膠是利用等離子體技術(shù),通過氣體放電產(chǎn)生高能粒子,這些粒子能夠解離化學(xué)鍵、改變分子結(jié)構(gòu),從而有效去除物體表面的污染物、殘留膠層等雜質(zhì)的過程。
原理:在特定壓強(qiáng)和電壓條件下,通過氣輝放電的方式產(chǎn)生等離子體。等離子體由電子、離子、自由基等活性粒子組成,具有很高的能量和反應(yīng)活性。當(dāng)?shù)入x子體直接噴向被處理表面時(shí),會(huì)與表面物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),分解并去除污染物,同時(shí)增加表面的活性,提升潤(rùn)濕性和附著力。

二、優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)
高效去膠:等離子體的高反應(yīng)活性使其能夠迅速破壞膠體顆粒的結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)膠體的去除。
環(huán)保節(jié)能:無需使用化學(xué)溶劑,減少二次污染和資源消耗,符合環(huán)保要求。
精準(zhǔn)控制:具備高精度的控制和均勻性控制,確保處理效果的一致性。
廣泛適用:適用于多種材料和工藝,包括硅片、玻璃片、金屬等。

三、工藝參數(shù)與影響因素
等離子去膠的效果受多個(gè)工藝參數(shù)的影響,包括射頻頻率、清洗時(shí)間、真空壓力值以及腔體溫度等。這些參數(shù)需要根據(jù)具體的去膠需求和材料特性進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化,以獲得最佳的去膠效果。

岱美設(shè)計(jì)生產(chǎn)的先進(jìn)干法去膠、掩膜蝕刻系列產(chǎn)品,可用于大批量去膠與大劑量離子注入后去膠,同時(shí)還可用于各種硬掩膜層干法蝕刻。

微波等離子清洗,等離子去膠工藝擁有低污染顆粒,低成本大規(guī)模量產(chǎn),高均勻性與高可復(fù)制性等工藝特征。采用高度模塊化設(shè)計(jì),為廣大客戶提供多樣靈活配置方案,滿足不同的先進(jìn)制程要求。

 
四、等離子去膠應(yīng)用領(lǐng)域:
1、LDI后光刻膠去除;
2、光刻膠、聚合物去除(灰化);
3、大劑量離子注入后光刻膠去除;
4、二氧化硅、氮化硅、氮化鈦掩膜蝕刻;
5、碳化硅、氮化鎵、鉭酸鋰、磷化銦材料工藝;
6、射頻濾波器BAW,SAW生產(chǎn)工藝中光刻膠去除;
7、MEMS應(yīng)用、晶圓級(jí)封裝(PR、PI、BCB、PBO)。

 


 

 

 

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