化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>其它半導(dǎo)體行業(yè)儀器設(shè)備>分子束外延(MBE)>FPSEM-STE35 三腔室分子束外延MBE系統(tǒng)
FPSEM-STE35 三腔室分子束外延MBE系統(tǒng)
參考價(jià) | ¥950000-¥1750000/件 |
- 公司名稱 孚光精儀(中國(guó))有限公司
- 品牌孚光精儀
- 型號(hào)FPSEM-STE35
- 所在地上海市
- 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間2024/12/16 9:25:41
- 訪問(wèn)次數(shù) 1200
聯(lián)系方式:華小姐021-22799028 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
生長(zhǎng)溫度 | 900度 |
---|
三腔室分子束外延系統(tǒng)是帶有三個(gè)MBE分子束外延生長(zhǎng)腔室的異質(zhì)結(jié)材料MBE生長(zhǎng)設(shè)備,可用于在高達(dá)∅100mm的襯底上以及三個(gè)2英寸以上襯底上一次精確生長(zhǎng)外延層,獲得很好的厚度和均勻性能。
三腔室分子束外延系統(tǒng)使用PA-МВЕ和NH3-MBE特殊型號(hào)的MBE生長(zhǎng)設(shè)備,可生長(zhǎng)InAlGaAsSb或InGaAlN外延異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
在使用其他制造商的擴(kuò)散池時(shí),由于改變了“源到襯底”的距離(晶圓和加熱器同時(shí)進(jìn)行*的垂直移動(dòng)),因此可以進(jìn)行額外的均勻性優(yōu)化。
三腔室分子束外延系統(tǒng)是一個(gè)三室超高壓系統(tǒng),包括單獨(dú)泵送的生長(zhǎng)室、用于預(yù)生長(zhǎng)準(zhǔn)備的緩沖/放氣室和負(fù)載鎖定室。所有腔室通過(guò)真空門和普通的半自動(dòng)基板轉(zhuǎn)移系統(tǒng)連接。生長(zhǎng)過(guò)程由基于原有軟件的自動(dòng)化系統(tǒng)控制。它允許控制過(guò)程手動(dòng)或在自動(dòng)模式下使用編程配方。
三腔室分子束外延系統(tǒng)基本配置:
•具有垂直生長(zhǎng)幾何結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)室,通過(guò)離子/低溫泵(用于常規(guī)III Vs)或TMP/C Ryopump(用于III氮化物)和鈦升華泵進(jìn)行泵送
•10×63CF孔,用于帶百葉窗的滲出池,1個(gè)中心63CF孔和最多3×40CF無(wú)百葉窗的外部孔,用于V組材料閥門裂解器或氣源;紅外高溫計(jì)或激光干涉測(cè)量孔
•通過(guò)生長(zhǎng)室上的幾個(gè)視口可以看到所有滲出細(xì)胞孔
•單個(gè)液氮冷凍板,有效包圍生長(zhǎng)體積(NH3-MBE生長(zhǎng)操縱器的附加冷凍板)
•基于PBN/PG/PBN的生長(zhǎng)機(jī)械手加熱元件,具有高均勻性和快速上下動(dòng)態(tài)
•一套分子源,包括5個(gè)滲出細(xì)胞和V組的源(帶閥裂解器、氮等離子體源或氨注入器)
•最高基板溫度-不低于900°С(NH3-MBE不低于1200°С)
•現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)工具:RHEED、紅外高溫計(jì)、RGA和激光干涉儀(用于III氮化物生長(zhǎng))
•準(zhǔn)備室,帶有用于基板支架(7個(gè))和晶片脫氣臺(tái)的存儲(chǔ)盒,原子氫源專用端口
•帶儲(chǔ)物盒的裝載鎖室,用于基板支架(8個(gè)),帶有配備手套箱的快速檢修門
•一套基板支架
•適當(dāng)?shù)某邏簝x表
•烘烤系統(tǒng)(高達(dá)200°C),無(wú)熱點(diǎn)形成
•控制電子設(shè)備
•基于原始軟件的過(guò)程控制系統(tǒng)
三腔室分子束外延系統(tǒng)主要優(yōu)勢(shì):
•“實(shí)驗(yàn)室到工廠”的概念,允許開(kāi)展從基礎(chǔ)研究到異質(zhì)結(jié)構(gòu)試生產(chǎn)的活動(dòng)
•鋁(冷唇)專用滲出細(xì)胞,操作穩(wěn)定,鎵(熱唇)提供低橢圓形缺陷密度
•在系統(tǒng)基本配置中對(duì)生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)的所有必要工具
•特別設(shè)計(jì)的生長(zhǎng)操縱器,提供高溫均勻性和加熱/冷卻速率動(dòng)態(tài)
•安裝期間的有效技術(shù)支持,包括基本工藝轉(zhuǎn)移
•簡(jiǎn)單的系統(tǒng)操作和定期的技術(shù)維護(hù)
三腔室分子束外延系統(tǒng)參數(shù):
烘烤后生長(zhǎng)室的最終真空度,Torr | <5×10-11 |
最大基板直徑,mm | 100或3×2″block |
100mm晶圓的厚度和復(fù)合不均勻度,% | ±1 |
“源到基片”距離,mm | 135÷210 |
滲出細(xì)胞百葉窗設(shè)計(jì) | 基于磁耦合旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的無(wú)沖擊驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) |
百葉窗葉片材料 | 鉭、鉬或PBN(可選) |
生長(zhǎng)機(jī)械手加熱元件的設(shè)計(jì) | PBN/PG/PBN |
生長(zhǎng)操縱器的最高工藝溫度,不低于,℃ | 900 (NH3-MBE為1200) |
準(zhǔn)備室中基板脫氣溫度,不低于,℃ | 650 (III氮化物為1100) |
生長(zhǎng)室烘烤溫度,不低于,℃ | 200 |
離子泵容量,不小于,l/s: –生長(zhǎng)室(III-N的TMP) –準(zhǔn)備室 –負(fù)載鎖定 | 800 (2000) 500 300 |