三瑞蓄電池6FM55-X參數(shù)報(bào)價

三瑞蓄電池6FM55-X參數(shù)報(bào)價

產(chǎn)生極板硫酸化原因有以下幾點(diǎn)：

· 電池初充電不足或初充電中斷時間較長；

· 電池長期充電不足；

· 放電后未能及時充電；

· 經(jīng)常過量充電或小電流深放電;

· 電解液密度過高或者溫度過高，硫酸鉛將深入形成不易恢復(fù)；

· 電池?cái)R置時間較長，長期不使用而未定期充電；

· 電解液不純，自放電大；

FM系列規(guī)格表

三瑞蓄電池6FM65-X規(guī)格/報(bào)價能量啁啾電子束自由電子激光放大啁啾脈沖束小建彭堂超2，竇玉煥1（1.北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研宄所北京100088；2.武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，武漢430072）和滑移現(xiàn)象對其的影響。采用研制的1維非定態(tài)程序GOFEL-P，對能量啁啾自由電子激光放大器放大啁啾脈沖的過程進(jìn)行了數(shù)值模擬和分析，計(jì)算了不同啁啾參數(shù)的脈沖被放大后的腔外壓縮情況。結(jié)果表明：與單能電子束時相比，能量啁啾自由電子激光可以放大具有更大啁啾參數(shù)的啁啾脈沖，使壓縮后的脈沖峰值功率增大至568GW，脈沖寬度縮短至2.29fs大幅增強(qiáng)自由電子激光放大啁啾脈沖以及腔外壓縮脈沖的效果。

　　超短脈沖在有群速度色散（GVD）的線性介質(zhì)中傳播后即可得到展寬的線性啁嗽脈沖。這種啁嗽脈沖若是高斯脈沖，則其慢變包絡(luò)可表示為2時為正啁嗽，表示脈沖后沿的頻率會變大，當(dāng)C<0時為負(fù)啁嗽，表示脈沖后沿的頻率會變小。

　　超短脈沖激光已經(jīng)成為諸如強(qiáng)場物理等科學(xué)研宄領(lǐng)域中的強(qiáng)有力的研宄手段，推動了這些研宄領(lǐng)域的發(fā)展和進(jìn)步。啁嗽脈沖放大（CPA）技術(shù)是獲得高強(qiáng)度的超短脈沖自由電子激光（FEL）的一種主要途徑。從單能FEL放大器放大啁嗽脈沖的數(shù)值模擬結(jié)果中當(dāng)C=50時達(dá)到的峰值功率63.3GW.因此，利用能量啁嗽電子束的FEL放大器放大啁嗽脈沖的效果要遠(yuǎn)好于單能電子束FEL放大器的效果，放大的啁嗽脈沖被壓縮后可以得到高出將近1個數(shù)量級的峰值功率。當(dāng)300以后，壓縮后的脈沖峰值功率會下降，這要是因?yàn)镃值的增大會使啁嗽脈沖每滑移一個波長后的失諧增大，所以過大的C值對脈沖的放大和壓縮是不利的。

　?。╞）中所示的脈沖被壓縮后的***小寬度為2.29fs（C=350），比中的單能電子束放大啁嗽脈沖的模擬結(jié)果18.5fs小了近1個數(shù)量級。這主要得益于能量啁嗽電子束使FEL放大器的增益線寬大大提高，從而可以放大具有很大C值的啁嗽脈沖，大大提高脈沖的展寬壓縮比，使脈沖寬度被壓縮得更短。

　　3結(jié)論采用1維非定態(tài)程序GOFEL-P，對能量啁嗽FEL放大啁嗽脈沖的過程進(jìn)行了數(shù)值模擬和分析，結(jié)果表明：能量啁嗽FEL可以明顯提高脈沖的功率增益，增大FEL的增益線寬，從而可以放大具有很大C值的啁嗽脈沖，大大提高脈沖的展寬壓縮比。與單能電子束時相比，壓縮后的脈沖峰值功率增大和寬度縮短近1個數(shù)量級，大幅度提高了FEL放大啁嗽脈沖以及腔外脈沖的壓縮效果。數(shù)值模擬的結(jié)果初步驗(yàn)證了采用能量啁嗽電子束的FEL可以直接產(chǎn)生啁嗽脈沖。如何使用具有能量啁嗽電子束的FEL放大器產(chǎn)生并放大啁嗽脈沖將是我們進(jìn)一步開展的研宄工作。

三瑞蓄電池6FM65-X規(guī)格/報(bào)價低能電子束光刻的MonteCarlo模擬°bookmark0肖沛，林季資（江蘇科技大學(xué)張家港校區(qū)基礎(chǔ)部江蘇張家港215600）襯底中的彈性散射和非彈性散射。通過統(tǒng)計(jì)電子的能量沉積分布，發(fā)現(xiàn)低能電子的大部分能量沉積在光刻膠中而非襯底所以在電子束光刻中有著更高的效率。并且還得到了在不同的入射電子能量下，光刻膠*曝光所對應(yīng)的的厚度。

　　傳統(tǒng)的光刻是指用激光把圖形刻蝕在半導(dǎo)體材料上的光刻膠內(nèi)的一門技術(shù)，主要用于半導(dǎo)體器件的制作。由于光的波長限制，光學(xué)光刻技術(shù)不適用于大規(guī)模集成電路的制作。人們認(rèn)為在下一代光亥I技術(shù)中電子束光刻***具有發(fā)展前景，高能電子束光刻由于鄰近效應(yīng)112的影響限制了其發(fā)展，低能電子束光刻（0.5keV―5keV）發(fā)展***具潛力134.在電子束光刻技術(shù)中如果全部用，在1keV的入射能量下，電子的大部分能量損失在了光刻膠內(nèi)。入射電子能量越大，在光刻膠中的損失能量就越小。

　　計(jì)算表明在50nm的光刻膠中，入射能量為1keV的電子損失了98.5%的能量，5keV的電子只損失了8.7%.100nm的光刻膠內(nèi)，1keV的電子把能量全部損失在了光刻膠內(nèi)，5keV的電子為18.4%.我們計(jì)算的值大小與Peterson的結(jié)果1111非常接近。

　　入射電子的能量越高，沉積在光刻膠中能量就越大，進(jìn)而發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的光刻膠分子就多。如要達(dá)到相同的刻蝕效果，相比高能量的電子，低能電子光刻需要更少的電子量，說明低能電子更為有效。

　　因低能電子的低穿透性，當(dāng)光刻膠較厚時，電子可能使光刻膠的底部不能*曝光，因此在低能電子光刻中來確定光刻膠厚度就是一個很關(guān)鍵的問題。下面用該方法計(jì)算出在不同入射電子能量下，光刻膠的厚度。使光刻膠PMMA發(fā)生*50nm時，由***外層等能線對應(yīng)PMMA的閾值能，可得到曝光的深度為45nm.入射電子能量3keV，PMMA厚度為300nm時，曝光的深度為210nm如所示。給出了在不同入射電子能量下所對應(yīng)的曝光厚度，它們之間的關(guān)系幾乎還可以計(jì)算各種條件下對刻蝕圖形的影響，從而來確定的實(shí)驗(yàn)條件。因使用的模型可以處理二次電子的激發(fā)，所以模擬結(jié)果更為準(zhǔn)確可信。

　　4結(jié)束語綜上所述，本文模擬電子在光刻膠及襯底內(nèi)行走的過程中，利用Mott截面和介電函數(shù)模型，借助MonteCarlo方法得到了電子在光刻膠內(nèi)的能量沉積分布，以及在不同入射電子能量下所需的光刻膠厚度。本文中計(jì)算出來的電子沉積能量分布與本文所采用的模擬方法，不僅