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化工儀器網>產品展廳>行業專用儀器及設備>其它行業專用儀器>霍爾效應測試儀>qirui Ecopia HMS-5000全自動變溫霍爾效應測試儀

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qirui Ecopia HMS-5000全自動變溫霍爾效應測試儀

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上海騏銳信息科技有限公司專注于行業領域,高低溫介電常數/高低溫下電性能測試系統/工業自動化/精密儀器/航空航天高性能材料測試系統、傳感器生產與技術服務。我們以技術創新為核心驅動力,致力于為客戶提供高效、智能、定制化的設備解決方案,助力全球客戶提升生產效率、優化產品質量并實現可持續發展。

核心技術優勢:

? 研發實力

擁有一支由資深工程師、行業專家及高校科研團隊組成的復合型研發團隊,累計獲得多項發明專利及實用新型專利。

? 技術亮點

自主研發核心產品技術,如:高低溫下介電常數/材料電性能高低溫測試/模塊化設備架構/能耗優化系統等。

采用數字化仿真/工業大數據分析/虛擬調試等先進技術,縮短研發周期30%以上。

? 產學研合作

與高校/科研院所名稱建立合作,共同攻關行業關鍵技術難題。

 

產品與服務體系:

?? 核心產品線

1. 智能生產線集成:面向制造業的自動化裝配、檢測及自動化測試系統。

2. 專用設備定制:材料測試系統、半導體精密加工設備、新能源電池模組封裝設備等。

3. 智能運維平臺:設備遠程監控、預測性維護及數據分析服務。

?? 服務模式

- 全生命周期支持:從需求分析、方案設計到安裝調試、售后維保的一站式服務。

 

成功案例

研發的設備型號獲獎項/認證

服務覆蓋行業領域,如:汽車制造/生物醫藥/光伏新能源頭部企業

我公司與以下國內外廠商建立了長期合作關系:日本安立公司、美國泰克Tektronix 公司、南京盛普、Sample 公司 、美國福祿克Fluke 公司、北京普源精電 、Rigol公司、美國安捷侖Agilent公司、中國臺灣茂迪Motech公司、美國艾法斯 Aeroflex公司、 中國臺灣固緯Goodwill公司、美國吉時利Keithley公司、日本巖崎Iwatsu公司、美國國家儀器NI公司、日本愛德萬 Advantest公司、美國Magtrol公司、德國惠美Hameg公司、韓國Tescom公司、安徽41所、韓國金進 Jungjin公司、常州同惠等。

 

 

電子儀器儀表 材料測試

應用領域 化工,能源,電子,印刷包裝,電氣

Ecopia HMS-5000全自動變溫霍爾效應測試儀主要用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數、導電類型等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體材料電學特性*的工具。


產品組成:
1、 主機系統
恒電流源+范德堡(Van der Pauw)方法終端轉換系統
2、 0.51特斯拉磁體包(型號:AMP51)
      - 0.51特斯拉永磁體
      - 磷銅樣品固定板
      - 樣品固定板嵌入式加熱器
      - 液氮槽
      - 溫度傳感器

樣品變溫、固定部分組成

-  圓形液氮槽

-  樣品固定板

-  溫度傳感器

-  嵌入式加熱器

-  磁體蓋

-  電纜

AMP磁體Kit俯視圖

- 磁體移動馬達控制

- 圓形液氮槽

- 磁體蓋

- 電纜


3、 常溫測量彈簧夾具樣品板及常溫測量磁體蓋板 RTSK-5000 (選配)



4、 變溫霍爾效應測量軟件

HMS-5000變溫霍爾效應測量儀軟件主界面



不同溫度I-V/I-R曲線       載流子濃度隨溫度變化曲線

遷移率隨溫度變化曲線       電阻率隨溫度變化曲線

霍爾系數隨溫度變化曲線       電導率隨溫度變化曲線


Ecopia HMS-5000全自動變溫霍爾效應測試儀規格:
1、 主要實驗參數
輸入電流:1nA ~ 20mA;
電阻率:10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm;
載流子濃度:10exp7 ~ 10exp21 cm-3;
遷移率:1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec;
磁場強度:0.51T;
樣品測量板:彈簧樣品板;
樣品尺寸:5mmX5mm  ~ 20mmX20mm;
溫度范圍:80K-350K;
磁體包尺寸:700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg;
2、 軟件操作環境
XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10環境下
3、 實驗結果
      - 體載流子濃度、表面載流子濃度;
      - 遷移率;
      - 霍爾系數;
      - 電阻率、方塊電阻;
      - 磁致電阻;
      - 電阻的縱橫比率;
4、 儀器尺寸和重量
主機尺寸:440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg;
5、 測量材料
Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半導體薄膜(P型和N型);



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