精密刻蝕鍍膜儀是一臺理想的具有斜面切割，樣品刻蝕和離子濺射鍍膜功能的儀器，其刻蝕和濺射鍍膜系統中的離子束能夠形成鍍膜范圍大、干凈以及可視的樣品滿足掃描電鏡（SEM），透射電鏡（TEM）以及光學顯微鏡（LM）的需求。PECS™中的設計結構使其成為非常通用的儀器，可選配型號682.40000的斜面切割工具，它是用于切割橫截面部分的*工具。

精密刻蝕鍍膜儀技術參數：

規格：
離子源
離子槍 三個潘寧離子槍與微型稀土永磁體
離子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV
離子束直徑 刻蝕槍 5mm FWHM；濺射槍 1mm FWHM
離子電流密度 峰 10mA/cm2
氣體流量 氬氣 0.1cc/分/槍
刻蝕范圍 根據離子槍能量為7mm-10mm不等
刻蝕速率 10.0keV下，硅材料約10µm/小時，鎢材料約3µm/小時

Airlock組裝
樣品載臺 接納1¼英寸（31mm）金相套和多種SEM短截線
樣本旋轉速率 可變速率10-60 rpm
樣品傾斜角度 固定角度或可變搖擺角度（0° - 90°）
樣品搖擺速率 可變速率5°/秒 - 36°/秒
選配 用于側插TEM的TEM適配器或SEM樣品載臺

鍍膜
鍍膜速率 10.0KeV下約0.5 Å/秒 碳 及 1.5 Å/秒 鉻
鍍膜范圍 均勻直徑超過30mm
耙材裝置 一方雙重耙材，可在真空狀態下從外直接選擇耙材
耙材材質 四種耙材選擇（見詳細清單）
厚度監控器 標準-顯示鍍膜速率和全部鍍膜厚度

真空
干燥泵系統 兩個部分，隔膜泵搭配一個70 升/秒渦輪泵
壓力 5E-6 托（6.6E-4Pa）基本壓力
6E-5 托（8E-3Pa）工作壓力
真空計 樣品腔冷陰極規，搭配固態壓力傳感器
樣品調換 Gatan WhisperlokTM，樣品更換時間＜1分鐘
液態氮閥 約5小時容量（標準）
活性碳過濾器 真空排氣裝置，以減少碘蒸汽排放到安全標準

尺寸及功率
總尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H)
貨運重量 45kg （100 lbs）
電源要求 通用電壓 100VAC-240VAC，50/60Hz
用戶需確定電源型號以保證正確的線路
能量消耗 運行時需200瓦特，離子槍關閉時需100瓦特
氣體需求 氬氣 70psi （4.82 bar）
替代氣體（其它惰性）20psi （1.38 bar）
碘蒸汽用于反應離子束刻蝕（結晶碘由用戶自行提供）

主要特點：

濕化學刻蝕的替代或補充
可控的重復性結果（離子槍電壓，離子束電流和刻蝕時間）
刻蝕和鍍膜在同一真空腔內進行減少樣品處理
樣品刻蝕后立即鍍膜，排除樣品污染
包括一個膜厚度監控器確控制薄膜厚度
高樣品生產量，Whisperlok™能快速、簡單進行樣品交換
Whisperlok™具有使樣品同時旋轉和搖動保證刻蝕和鍍膜均勻的特點
反應離子束刻蝕（RIBE系統）
無化學處理或操作安全

PECS使用手冊

一般來說，如果材料的組成具有不同的化學性質，通過常規化學刻蝕方法不可能揭示一種不同組成的材料其各個相的結構。但離子束刻蝕技術在這些實例中效果不錯。這種方法在金相學中比較重要的一個用途是用于具有不同化學潛能的金屬化學物的刻蝕。應用實例顯示，通過離子束刻蝕方法可以證明不同種類材料是通過不同加工工藝制得。
測試過程和結果
PECS（精密刻蝕鍍膜系統）中包含離子束刻蝕系統。系統中的大離子束源產生一個光束直徑為10mm的垂直入射離子束源給樣品，根據離子槍參數（離子槍電壓和離子束電流）。使試樣傾斜，如改變入射角以及刻蝕過程中旋轉試樣，刻蝕直徑可以進一步擴大。雖然金屬的各種化學組成非常不同，離子束刻蝕卻可以同時且*地揭示各化合物的結構。DIC（微分干涉對比）可以用來增強由離子轟擊產生的刻蝕引起的特性反差。單個化合物濺射范圍在優化離子束刻蝕復合材料方面具有重要作用。雖然表面層和底層化學特性有巨大差異，但是其濺射范圍相近。