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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>薄膜生長(zhǎng)設(shè)備>原子層沉積設(shè)備>SOMIS&S12000/V-A ALD

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SOMIS&S12000/V-A ALD

參考價(jià) 1000000
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 無(wú)錫松煜科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) SOMIS&S12000/V-A
  • 產(chǎn)地 無(wú)錫市新吳區(qū)碩放街道工業(yè)園區(qū)振發(fā)二路16號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2020/6/19 14:09:40
  • 訪問(wèn)次數(shù) 526

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無(wú)錫松煜科技有限公司是一家集開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高速發(fā)展的光伏設(shè)備及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專業(yè)的設(shè)備制造商。

    2017年12月,正隆天基公司在無(wú)錫注冊(cè)成立。

    公司主要產(chǎn)品有:太陽(yáng)能電池片*工藝設(shè)備,半導(dǎo)體技術(shù)*工藝設(shè)備,電子元器件*工藝設(shè)備,集成電路工藝設(shè)備,LED工藝設(shè)備,砷化鎵工藝設(shè)備,納米材料工藝設(shè)備,磁性材料工藝設(shè)備,航空航天及國(guó)家*單位*的工藝設(shè)備,產(chǎn)品種類多達(dá)上百個(gè)。例:太陽(yáng)能電池片*工藝設(shè)備---ALD,擴(kuò)散爐,LPCVD,PECVD。

    無(wú)錫松煜公司技術(shù)力量雄厚,各類專業(yè)技術(shù)人員齊全,具有自主研發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)各種產(chǎn)品的能力。公司將本著為客戶解決問(wèn)題的思路,堅(jiān)持創(chuàng)新、進(jìn)取、務(wù)實(shí)、感恩的企業(yè)理念,以*、科學(xué)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓芾硎侄螢榛A(chǔ);以規(guī)范化、合理化、標(biāo)準(zhǔn)化、效率化為準(zhǔn)則,不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量、提升產(chǎn)品可靠性,全心全意為客戶服務(wù)。

    無(wú)錫松煜將圍繞核心技術(shù),不斷完善人力、資本、管理、技術(shù)等平臺(tái)建設(shè),不斷提高核心競(jìng)爭(zhēng)能力,向著成為具有競(jìng)爭(zhēng)力的現(xiàn)代化企業(yè)的目標(biāo)不懈努力。

ALD,管式三合一PECVD,管式PECVD,LPCVD,低壓擴(kuò)散爐,硼擴(kuò)散一體爐,碳納米管合成爐,立式爐,真空熱處理爐等真空熱工設(shè)備

產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 100萬(wàn)-200萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子,電氣,綜合

  原子層淀積系統(tǒng)可生長(zhǎng)品質(zhì)優(yōu)異的薄膜,設(shè)備*,穩(wěn)定可靠。應(yīng)用實(shí)例:高K柵氧化層,存儲(chǔ)容性電介質(zhì),銅互連中高深寬比擴(kuò)散阻擋層,OLED無(wú)針孔鈍化層,MEMS的高均勻鍍膜,納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜,特種光纖摻雜,太陽(yáng)能電池,平板顯示器,光學(xué)薄膜,其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
*的軟件控制系統(tǒng):系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報(bào)警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
支持多種制程工藝路線
設(shè)備占地空間小
設(shè)備產(chǎn)能高
機(jī)臺(tái)保養(yǎng)維修方便,維護(hù)周期長(zhǎng),半年以上
設(shè)備成膜質(zhì)量好,致密均勻度好
設(shè)備耗電量小
設(shè)備穩(wěn)定性高,機(jī)械運(yùn)動(dòng)少,設(shè)備運(yùn)行更穩(wěn)定可靠
尾氣已預(yù)處理
設(shè)備對(duì)干泵采取了必要措施保護(hù),泵的維護(hù)周期更長(zhǎng)

主要技術(shù)指標(biāo)
基片加熱溫度:室溫-500℃,控制精度: ±0.1℃
ALD閥:swagelok快速高溫ALD
生長(zhǎng)模式:連續(xù)高速沉積模式
控制系統(tǒng):PLC+工控機(jī)
電源:50-60Hz,380V
沉積不均勻性:不均勻性<±1%;片間不均勻性<±1.5%

可沉積薄膜種類
單質(zhì):Co,Cu,Ta,Ti,W,Ge,Pt,Ru,Ni,F(xiàn)e…
氮化物:TiO2,HfO2,SiO2,ZnO,ZrO2,Al2O3,La2O3,SnO2
其他化合物:GaAs,AIP,InP,GaP,InAs,LaHfxOy,SrTiO3,SrTaO6

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