SOMIS&S12000/V-A ALD
參考價(jià) | ¥ 1000000 |
訂貨量 | ≥1臺(tái) |
- 公司名稱 無(wú)錫松煜科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) SOMIS&S12000/V-A
- 產(chǎn)地 無(wú)錫市新吳區(qū)碩放街道工業(yè)園區(qū)振發(fā)二路16號(hào)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2020/6/19 14:09:40
- 訪問(wèn)次數(shù) 526
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ALD,管式三合一PECVD,管式PECVD,LPCVD,低壓擴(kuò)散爐,硼擴(kuò)散一體爐,碳納米管合成爐,立式爐,真空熱處理爐等真空熱工設(shè)備
產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 100萬(wàn)-200萬(wàn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子,電氣,綜合 |
原子層淀積系統(tǒng)可生長(zhǎng)品質(zhì)優(yōu)異的薄膜,設(shè)備*,穩(wěn)定可靠。應(yīng)用實(shí)例:高K柵氧化層,存儲(chǔ)容性電介質(zhì),銅互連中高深寬比擴(kuò)散阻擋層,OLED無(wú)針孔鈍化層,MEMS的高均勻鍍膜,納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜,特種光纖摻雜,太陽(yáng)能電池,平板顯示器,光學(xué)薄膜,其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
*的軟件控制系統(tǒng):系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報(bào)警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
支持多種制程工藝路線
設(shè)備占地空間小
設(shè)備產(chǎn)能高
機(jī)臺(tái)保養(yǎng)維修方便,維護(hù)周期長(zhǎng),半年以上
設(shè)備成膜質(zhì)量好,致密均勻度好
設(shè)備耗電量小
設(shè)備穩(wěn)定性高,機(jī)械運(yùn)動(dòng)少,設(shè)備運(yùn)行更穩(wěn)定可靠
尾氣已預(yù)處理
設(shè)備對(duì)干泵采取了必要措施保護(hù),泵的維護(hù)周期更長(zhǎng)
主要技術(shù)指標(biāo)
基片加熱溫度:室溫-500℃,控制精度: ±0.1℃
ALD閥:swagelok快速高溫ALD閥
生長(zhǎng)模式:連續(xù)高速沉積模式
控制系統(tǒng):PLC+工控機(jī)
電源:50-60Hz,380V
沉積不均勻性:不均勻性<±1%;片間不均勻性<±1.5%
可沉積薄膜種類
單質(zhì):Co,Cu,Ta,Ti,W,Ge,Pt,Ru,Ni,F(xiàn)e…
氮化物:TiO2,HfO2,SiO2,ZnO,ZrO2,Al2O3,La2O3,SnO2…
其他化合物:GaAs,AIP,InP,GaP,InAs,LaHfxOy,SrTiO3,SrTaO6…