分辨分析型透射電子顯微鏡標(biāo)配了照明系統(tǒng)球差校正器，是一款原子分辨分析型透射電鏡，擁有先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。標(biāo)配照明系統(tǒng)球差校正器，且大限度地提升了裝置的機(jī)械穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。

分辨分析型透射電子顯微鏡JEM-ARM200F標(biāo)配了照明系統(tǒng)球差校正器，是一款原子分辨分析型透射電鏡，擁有世先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。

• STEM-HAADF像的保證分辨率（78pm *1  ）為世界之先性能
• 標(biāo)配照明系統(tǒng)球差校正器，且大限度地提升了裝置的機(jī)械穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm *2 ）。 此外經(jīng)過(guò)球差校正的電子束與一般的場(chǎng)發(fā)射透射電鏡相比，電流密度可以高出十倍。使用束斑更小、電流密度更大的電子束，能在進(jìn)行原子水平的元素分析同時(shí),大幅度地縮短測(cè)試時(shí)間，*地提高分析效率。
  *1 配備冷場(chǎng)發(fā)射電子槍  *2 配備肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍

• 通過(guò)STEM-ABF像直接觀察輕元素的原子陣列
• JEM-ARM200F標(biāo)配了掃描透射環(huán)形明場(chǎng)(STEM-ABF)成像模式，通過(guò)STEM-ABF像能直接觀察晶體樣品中輕元素的原子陣列，還可以同時(shí)獲取STEM-HAADF像，在樣品結(jié)構(gòu)的分析中能夠發(fā)揮巨大威力

• 用100mm2的大面積SDD *3 進(jìn)行原子分辨分析
• JEM-ARM200F配備日本電子制造的100mm2的大面積硅漂移檢測(cè)器(Silicon Drift Detector:SDD) *3 ，可以進(jìn)行快速、高靈敏的EDS元素分析，與經(jīng)過(guò)球差校正的電子束流組合，能進(jìn)行原子級(jí)的元素面分布，在原子水平的分辨率下進(jìn)行成份分析。
  *3 選配

• 用冷場(chǎng)發(fā)射電子槍 *4 進(jìn)行觀察和分析
• 冷場(chǎng)發(fā)射電子槍(Cold-FEG) *4 配備新開(kāi)發(fā)的真空系統(tǒng)，與傳統(tǒng)的冷場(chǎng)發(fā)射電子槍不同，F(xiàn)lashing操作后可以馬上使用。由于光源小可以獲得更高分辨率的圖像。此外冷場(chǎng)發(fā)射電子槍的能量發(fā)散度小，不僅能進(jìn)行高分辨率的EELS分析，還能降低色差。
  *4 選配

• 成像系統(tǒng)球差校正器*5
• 使用成像系統(tǒng)的球差校正器 *5 ，透射電子像(TEM)的分辨率可以高達(dá)110pm。
  *5 選配
• 產(chǎn)品規(guī)格
• 
  分辨率掃描透射暗場(chǎng)像82pm（加速電壓200kV、肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍）
  78pm（加速電壓200kV、冷場(chǎng)發(fā)射電子槍）透射像（點(diǎn)分辨率）190pm（加速電壓200kV）
  110pm（加速電壓200kV、安裝TEM球差校正器）
  倍率掃描透射像X200～X150,000,000透射像X50～X2,000,000
  電子槍電子槍肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍 冷場(chǎng)發(fā)射電子槍（選配件）加速電壓200～80kV（標(biāo)準(zhǔn)200kV、80kV）
  樣品系統(tǒng)樣品臺(tái)全對(duì)中側(cè)插式測(cè)角樣品臺(tái)樣品尺寸3mmΦ大傾斜角X軸: ±25°　Y軸: ±25°（使用雙傾樣品桿）移動(dòng)范圍X,Y: ±1mm　Z: ±0.1mm（馬達(dá)驅(qū)動(dòng)／壓電驅(qū)動(dòng)）
  球差校正器照明系統(tǒng)球差校正器標(biāo)配成像系統(tǒng)球差校正器選配件
  選配件主要選配件能譜儀（EDS） 電子能量損失譜儀（EELS）
  CCD數(shù)碼相機(jī)系統(tǒng)
  TEM/STEM斷層掃描系統(tǒng)